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標題: 請教nmos in nwell的問題 [打印本頁]
作者: sw5722    時間: 2007-11-16 11:08 AM
標題: 請教nmos in nwell的問題
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變
% P! A6 {* q! b8 f. \# v+ Y電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程,
3 V0 \; T: l: S# [! a9 H! |netlist file中那個model name是用 n表示,這model name
; N# B! W/ f3 v0 k# o是否有問題.$ R3 y- }( o, R. c. a3 H
ps. 1  error report是  
- w: {4 m- O1 Y6 J9 S5 H3 f******************************************************************************" n5 h9 a  E1 j! q3 f8 {
                                 INCORRECT INSTANCES: @& p0 C5 U. ?0 `2 D: x

3 U& B! T8 c* N) _DISC#  LAYOUT NAME                                           ne  SOURCE NAME
, W6 U; ?1 `# F% U! o* @*******************************************************************************! u6 A% X, b; \: a, ]

3 y+ d+ J3 |* f+ c  1    ** missing instance **                                    MC  MN(N)
4 L: m6 f  w7 Y4 n- f# f9 z) {9 P& v' U
只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋8 Y0 L; l$ B. Q- P1 a+ K+ b

& ~$ c( h# T# Z$ X& ~" d0 Mps.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,5 F8 z; j0 L- v3 y+ a7 T9 Z
     會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
作者: m851055    時間: 2007-11-18 06:14 AM
從你的PS上猜測7 t5 M% x9 M: q* C; i+ u* O
應該是device name對不到，檢查看看netlist的device name，如果是就修改LVS command files就好了。
作者: sjhor    時間: 2007-11-19 09:46 AM
如此結構不能說是  NMOS  只能說是 Capacitor!!
/ g7 h7 P4 @+ ?' [6 L/ h所以  不能以  NMOS 建圖!!
作者: sw5722    時間: 2007-11-19 05:34 PM
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,
0 U: W" _; u- R! v( E: R+ C卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.
+ A" a. \1 I3 t4 N所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file
, G4 G1 T- ^+ }0 N+ F! a+ V不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion; M" w7 {- Q3 m1 o8 _
guard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,* A3 E5 j) B# F9 u& S
而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos# a) b: K( }0 Y
的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓
) ?- ~$ @  l" N% bcommand去認它.
作者: sw5722    時間: 2007-11-20 12:01 PM
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的
" h. [7 a. A+ C" ^  S東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring6 X5 {+ z, j2 [* ]$ X! c  |9 h
是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個
' X0 q9 `5 G/ m1 j( L東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.& V, x4 O$ z* |% t" @
另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的7 r2 r7 V( B/ Q" v" Q
人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態
& K" J' y! @, M) v+ i! o: L( B' C所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
作者: sjhor    時間: 2007-11-20 03:47 PM
原則上  這個電容是可以用的!!/ q- m1 m, p# E6 K6 K! _0 q( h
加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!: Y: T/ _% R/ Z% t- N) j7 U
這個電容有許多人用過!!! X, _! j/ F0 ]
早期沒有 Double poly 電容的時候!!  有相當多的人在用!!
作者: sw5722    時間: 2007-11-21 10:33 AM
基本上command flie的描述是這樣
1 m1 e/ q3 t- u( M* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY: c9 z' x% N1 [. e. b
nmoscap        1.8V NMOS Varactor      (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1)8 H' p- C2 a( Y# \2 R# u4 G
這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用
% K, i6 C5 m( I# }$ I"nmoscap",這樣是否可以.9 z+ ^1 H8 D  {( ]
我在netlist file上這樣描述,
. i+ F' f& x8 z% t8 N! z; d/ bXMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=1
# b; I& x: ~: }5 r0 _然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式
+ L) z: H4 n& Q3 ?% J+ ^這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
作者: sw5722    時間: 2007-11-22 02:00 PM
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決
& e5 d5 |9 M5 P- z3 t. V& h這個問題.



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