4 r4 ^1 P+ b& z! F0 ]' \& ?什么是nch l=ln1 ?作者: monkeybad 時間: 2007-11-16 01:18 PM
除非你的VDD電壓不夠高 或是mos Vth太大 不然應該可以調到飽和才對 8 { @ `& q/ U4 J: @7 V6 [- N& }5 `調的時候有技巧 你可以用.ic V(Vx)=XXX 這個指令先把某個Vx節點電壓固定起來 + z3 j$ a/ Y& I5 i, B例如Vout你可以先固定在VDD/2左右 其他Mos的Vds也可以先固定起來 C6 d; N5 y! U: [2 ~/ ?0 T8 sVds可以先用算的估計一下看看是不是能讓MOS在飽和區 7 t" J( I% R. c2 e( O再來跑.op 接著你就可以看到Mos是不是全部都在飽和區 然後因為電壓節點被你固定住了 ) _+ t4 T. i8 `7 x% n所以電流並不會互相匹配 接著根據電流來微調MOS的size: K. j; _& h3 l7 d, y. E) B
例如你的PMOS電流比較大 NMOS電流比較小 那你就把NMOS調大或是PMOS調小這樣作者: u9213118 時間: 2007-11-16 04:19 PM 標題: 回復 3# 的帖子 喔喔 原來可以這樣喔 % y/ _! [. B1 p3 m" j這樣也是可以(先交差). I: t3 B% l: h# B- u" o& T
不過如果size是要像圖上的( L8 P2 {$ h V6 Q. J
就是不動到size的調法$ w7 X/ z, E6 y- g) u+ u- V
就比較不懂了2 p! {/ G: o% q5 Q/ _
我的作法是先推x點上的電壓" m2 E; c0 ]# ^4 t( p. ?: Q T2 ?' O
利用飽合電流公式不過kp是用單顆pmos推的 0 j3 w" a' T& L$ N之後在慢慢推出一些不等式 H0 _5 E% t0 p. {: } W
在去取適當的值來放 ! N/ G( J/ o$ B" ykp是我比較不確定的因子 5 X) B( I! p" @; g S推出來都怪怪的3 R {" l& _4 ]0 [- U3 A4 \
上面的code是只能調vbias1 &vbias2 5 R2 p' K1 c$ l; d6 h. S7 P; v% H3 ]其他的值都給定了(偷偷改也是可以 不過這樣就學不到東西了)作者: 緣緣 時間: 2007-11-17 12:06 PM
基本上電壓源電路應該不能直接設一個固定偏壓,因為你固定P-MOS或N-MOS的Vg值,相對就會決定你的Id及Vds飽和電壓,當你上面MOS電壓變動時,下面MOS的電壓就可能跑掉進入linear,你可以使用一個電流源加一個電流鏡產生一個偏壓電路代替你的外加固定電壓,應該就很容易全部調到飽和區了。 + d" K4 k! r4 m另外,附帶一提,一般kp的預估值為50u,kn的預估值為110u,這是從相關書籍得來及實際模擬的經驗值,不過我這裡的值是以MOS飽和區公式,Id=1/2*K*(W/L)(Vgs-Vt)2來解釋。 0 A" ^' I D( @; q" O提供給你參考,希望對你有幫助。作者: wuwen 時間: 2007-11-21 02:03 PM 標題: Reply For u9213118 Let me try if I can help. I would like to check the circuit intuitively.* e3 i5 \. ^/ U4 D" M6 N
/ O( J- t/ c1 g6 n; s4 r
Below analysis is based on the limited adjustable variables (Vbias2 and Vbias).3 x& e1 ?( T* F/ t# B3 b4 l) b6 i; p) ~
2 N! I0 P5 P: F
If Iref is fit, basically V(X) is fit, this means that you would have only V(X) to distribute for Vsd of MP4 and MP6. 9 M1 p0 X: U E' x" y3 h0 w! Y
( f U! t& J+ q1 }8 l' C2 [V(P1) and V(P2) is determined by Vbias2, increase Vbias2 would decrease V(P) and push MP5 and MP6 closer to the linear region.2 j- f: e" B% k* ~6 H q$ y% d- }4 O
( R8 s- t$ m! i8 p
Vbias would determine V(Y), increase Vbias would increase V(Y), and push MN1 deeper into saturation region.# g* J3 e; H4 M0 ~/ Z- d/ \& }
, |4 S; J0 {. {' m4 w: a. C# i
Your output swing are: 2 o+ R5 Z0 L$ h- G( D$ kVout_max=Vcc-Vdsat(MP5)-Vdsat(MP3)* P: c( D" v$ O
Vout_min=Vdsat(MM1)+Vdsat(MM2)8 v, h! o$ I3 L, J& X. d* g
, h1 v. l* }# ^; l" L5 j
Limit your Vin swing would then assure the proper operating region of transitors. , J. F* f3 R G; e$ H/ q: @7 [4 ?: E- w& v8 |: c8 D3 x
Hopefully these help.