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標題: IC ESD 相關問題請教 [打印本頁]
作者: 阿光    時間: 2007-11-27 04:35 PM
標題: IC ESD 相關問題請教
1. 聽說即使是 foundry 或 IP 公司提供的 IO library 也可能偷 rule 是不是？反正只要驗證 OK，先以縮小面積為考量，是這樣嗎？
* [$ f& P2 N$ o' P7 F4 `: c
" _" Y  J( F1 f& ~, R  C2 `2. 假設發生 ESD 問題了，找到亮點了，傷到內部電路，也層層剝下去觀察，知道 damage 在哪個 device 了，如果它是 design issue，接下來該採取什麼樣的求證步驟和方法來找出是哪裡的 design 有問題呢？尤其是 ESD 都已經 follow ESD rule 的情況下，有什麼大方向可先行檢查一遍嗎？ (附記 : 0.18um, mixed-signal IC)
作者: sjhor    時間: 2007-12-10 02:13 PM
1. Foundry 的 ESD rule 通常都很大!!  所以使用者常會去偷 rule。IO library 通常都是過他們所說的耐ESD範圍，這部分應該必較沒有問題!!若有存疑可以請 Foundry or IP House 提供相關的資料，就可以知道其耐受度。
) c0 e/ X" e; o4 q3 w( v2. 亮點只是結果。這些可能要靠專業的判斷比較可以得知。大部分的都是猜測。沒有看到實際的 layout 和相關的位置是很難判斷的。
作者: ritafung    時間: 2007-12-10 09:30 PM
根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?
作者: manpao    時間: 2008-7-25 04:35 PM
Foundry 的 ESD rule 通常都大,
2 `1 a+ N$ r$ S7 Y/ Qdesign by yourself is better
作者: cthsu1    時間: 2008-9-8 11:04 PM
IC 裡頭有不同的 Gnd Pad 嗎？
3 M- b; b0 F( J4 [1 y7 w$ ]5 K8 Q4 B' E如果有的話，Gnd Pad 之間有沒有用 diode 串接？
$ b  M9 [# m, h# {是否有思考過每一種ESD測試組合都有相對應的元件保護？
5 E  Z/ T5 M9 `! C如果都沒有，死在裡面也不是什麼很奇怪的事。
2 R2 i% ~8 W2 G, H+ w( P! T( O. V3 M, n& d. Q; F- ^( i) y8 X$ b
不過，如果是死在 Foundry 給的 IP上面 (不是IO喔)，
+ y% B4 O4 U# V2 F* e8 ~* q可以把問題丟給他們，確認是Foundry的話，甚至可以談賠償，
9 g2 k+ W9 K5 |* T不過，通常那種大的 Foundry 都不會理你就是了。
作者: alvin0411    時間: 2008-9-24 11:37 PM
原帖由 ritafung 於 2007-12-10 09:30 PM 發表 : E. o0 T0 u0 }; P2 L
根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?
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1 ^" Y1 e. W% x) V# g3 a8 Z6 b# e, k# r+ t1 O8 l# ^7 K
請問何謂poor metal routing呢? 可否麻煩大大解說一下?
作者: alvin0411    時間: 2008-9-24 11:42 PM
我也覺得常遇到的case都是死在內部電路  A' \! g9 j4 o; k9 }$ n0 P
想請問各位前輩, 若我找到damage的device, 假設是死在core的gate好了,那
% [: F% e$ _* n$ Y我可以直接在那個gate前面加一個放電path嗎?, 譬如一個diode.



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