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標題: op單級放大器layout之問題? [打印本頁]

作者: shihchia    時間: 2007-12-8 05:44 PM
標題: op單級放大器layout之問題?
前幾天Layout op的電路,在DRC執行時,發現錯誤訊息
, L. s$ j! Z6 S& n% M- S0 D也問過我們學校的助教們$ L6 v  u9 {$ ]' C8 H
但重新依照他們的指式在畫過6 [" t' I+ _9 a' b( y/ Q6 j' |
* }' e- g; U, c' Q$ a
依然還是一樣的錯誤訊息!( x0 h5 B! R' A. G) t
% x8 U4 r+ Q7 x. `/ Z2 P0 m& ?
LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
0 v  ~6 N! W1 \; v: t* g這個問題一直指nmos的那顆電晶體的問題, I1 Z3 w9 e5 X' K. ]& C4 S6 T
我也問過其他老師、他說要拉超過20um
+ L- f% E& G/ ~3 A但我不清楚、是要拉nmos與電源的長度要超過20um嗎
' f! c7 L1 Y7 m$ M: K8 g  m$ ~* C: Y$ F+ O
類比電路果然難理解
& P9 O% V: Y# j( S6 I9 z* z, K7 d3 ?* V
希望大家能幫幫我的忙唄!!!
作者: m851055    時間: 2007-12-8 07:38 PM
其實很簡單就是,就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。# X' a3 @5 d, k- M+ {
在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了,或看錯了。
作者: m851055    時間: 2007-12-8 09:53 PM
try 看看畫20um的間距,如果不行在做討論...........。
作者: shihchia    時間: 2007-12-8 11:06 PM
P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD
5 j4 f, f$ R4 j6 j3 X2 |( n) {2 t* W
3 k1 |2 g* Q" `這個我有點看不懂是什麼意思!
, b2 O' d% f. \可以在詳細講明白一點嗎!!!1 p* q( W) w+ ^

( g: F3 p" Z& i3 ^" fOD是什麼意思?
# U; u  {8 w# u0 x2 E% fP-well不是nmos的p基體嗎?
# ~  V- S: ?, i+ ~2 P  M0 p. f* |0 {) w/ p! F2 t. Y
不好意思!現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!
作者: egg    時間: 2007-12-9 02:54 AM
這條是check latch-up的drc rule2 s3 R! f6 C7 E
是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)- O$ j& N9 j7 A  W! l; }
20um半徑圓內打幾顆P+_contact4 f0 R+ j9 U9 Y5 p7 R$ p
就會解掉這條了
作者: m851055    時間: 2007-12-9 01:49 PM
OD=Active=Diffusion
6 B; I. O# T" A2 n- R% L3 |, m6 o; U: k+ b
在NMOS半徑20um以內畫上,P+ OD(P+ &  Active)就好了。
作者: motofatfat    時間: 2007-12-10 10:35 AM
應該是body or base 離的太遠% D1 d3 g7 v9 g. X) _+ J* V* S- l
要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
1 e0 d# Y9 F5 d  t加 N+DIFF ㄉ地方) [* l& K- P/ V: ]) f

. `- r* v1 Z; ^以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方
作者: skeepy    時間: 2007-12-12 02:00 PM
LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}" W1 |! r+ A4 Y- x* T1 d, y) N/ P8 E
就說明要小於20um了,怎麼會要拉超過呢?, H4 P! R) g/ X. E# B; i% l
簡單而言就是pmos用n+ring圍起來,nmos用p+ring圍起來是最保險的。
作者: tubaaa3210    時間: 2007-12-14 04:35 PM
表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
4 x) _+ V5 z& ~& T( j+ |# e但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.* M7 r5 S, J& ]  _2 ^- |
這就是樓上說的LATCH-UP的問題
作者: yoyo20701    時間: 2007-12-22 06:23 PM
嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解




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