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標題: metal layout 問題 [打印本頁]

作者: fang59822    時間: 2007-12-24 09:46 AM
標題: metal layout 問題
在下正學習類比電路的佈局;被問到從metal layout方面去降低內含MOS的Ron
, V! z8 c1 ^2 L8 {- A" r% K" X6 k想請問各位大大,除了waffle外,對2M or 3M時M1 &M2 & M3,有何建議?
! X) d  n5 {' P& B/ UThanks!!!
作者: motofatfat    時間: 2007-12-24 10:37 AM
看不懂你ㄉ問題
. `; `: ?, u; x# n  A: c通常3M時$ q; c7 V8 t; [1 d
LAYOUT # c8 j. u$ w! F/ y9 k9 r1 }- f
M13橫線
5 S* O3 L3 P0 |  r. G那M2就直線
2 @' i2 y" w! P, e就盡量不要重疊ㄅ
作者: superfool    時間: 2007-12-24 11:07 AM
問題看不懂!* u& o! i2 S* w$ J$ P/ D9 u
我們都是35走橫線,246走豎線。
7 e7 C8 R- A5 {, a) R  \8 K如果兩個metal走線方向一致,也盡量錯開一點。
作者: fang59822    時間: 2007-12-24 01:36 PM
對不起我說的不清楚,5 P2 v0 Y) e4 O; l
我指的是在IC中做Switch的大MOS的metal layout.
5 n: d) G  o' gNote:大MOS是內含的.不是外掛
作者: smilodon    時間: 2008-1-2 04:54 PM
Make a wider metal and more contact




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