Chip123 科技應用創新平台
標題:
Power MOS架構問題
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作者:
libra3333
時間:
2007-12-27 05:20 PM
標題:
Power MOS架構問題
有誰公司有畫過類似Power MOS架構，能在TSMC製程畫嗎，如果能那W/L如何計算，因為Poly會有重複的問題需要知道。
Y7 Y& k, l" X9 p. o+ G# A( ]
[attach]2410[/attach]
作者:
edengod
時間:
2007-12-28 05:47 PM
左手邊的將POLY重疊的部份去掉假設POLY是1U
+ n: f, z, s( D! K! U% I1 Z
POLY to POLY是2U 每條POLY 為17U
; `" s3 ~ I c0 X8 L
17*10-5*5=145
# m- I- {( j& N( v4 s
右邊這個就沒有重疊的部份,但卻有打折部份的損失,
) u) h- q' {% g6 t) M
看你要多精準,粗略的打折部份就算是1/2,
/ \1 U2 I2 z# v$ X/ n
就這樣子
作者:
sjhor
時間:
2008-1-3 09:50 AM
通常 POWER MOS 應該不用算到這麼精細吧!!
' Q! U3 j; r4 I6 e2 B3 i
他是看整個 Rds(on) 所以 這些的誤差應該是可以忽略的吧!!
- C6 }6 X5 J2 ?
口字型要看她的整個結構 還有引電位的問題!!
7 J- |5 ~2 p+ I
口字型 應該是對稱性的結構比較好畫!!
* ]+ |7 B( S8 f' e/ a
若是 DMOS 目前還沒有實際的使用過!!
作者:
bowbow99
時間:
2013-1-31 02:48 PM
Rds(on) 是什麼？？
) c" O/ f6 W+ Y; d
怎麼判斷Rds(on)？
作者:
sd5517805
時間:
2013-2-27 03:29 PM
希望各位讨论，多谢大家， 。。。。。。
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