Chip123 科技應用創新平台
標題:
DRC 出現的錯誤
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作者:
minagroic
時間:
2008-1-6 11:58 PM
標題:
DRC 出現的錯誤
在DRC時有兩個錯誤不知道如何解決，又看不懂希望能給我解答。
/ a# ~* p% ]1 M0 s% F
謝謝!!
# q6 ]$ x: l3 E/ r: _' L
1. PO.R.1 { @ Min poly area coverage < 14%
4 D0 v5 j7 V& ]* g* R
DENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14 PRINT POLY_DENSITY.log
! S- C2 l, [5 p: I6 S
}
: F. y0 n+ C1 s' Z: R( T1 c7 M- e
2. M1.R.1 {@ Min M1 area coveger < 30%
* R, T( |5 v! b7 t% s8 ]
DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3 PRINT M1_DENSITY.log
9 k4 K$ ^8 E1 O* H i- ]' L
}
作者:
m9507314
時間:
2008-1-7 12:24 AM
如果你是要下晶片，那最後有多餘的空間上補上poly &metal1即可
5 T5 _* t/ o5 m+ }9 ]
如果你不需下晶片，那這個跑DRC時可以忽略
A; R( m. X9 ?0 [& |( r
PO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
; F, r* F3 v( _. ?3 R
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14%
作者:
lcctsai
時間:
2008-1-8 09:54 AM
說的沒錯,但好像有筆誤:
- e! S* W+ U# J. i7 J2 _
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14% ---> 小於30%
作者:
kf_chiang
時間:
2008-1-8 05:08 PM
一般 POLY & MT1 density 不夠應該是 whole chip device 不多造成,如果 chip 還有面積的話,建議加一些 VDD<->GND MOS CAP ,如此可以同時提高 POLY & MT1 density .
作者:
vic
時間:
2012-2-3 07:05 PM
小弟的淺見...
2 z: |# l" L$ z3 g4 b- t
這應該是poly與metal的density的問題....
% x/ c5 K& N6 v7 h0 D, d
PO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
! u3 T' H( b( T7 r/ G! ^* A
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於30%
6 |, u, f6 s+ }) }: S
好像增加poly跟metal1就可以解決的樣子
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