Chip123 科技應用創新平台
標題:
SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?
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作者:
alvin0411
時間:
2009-4-28 10:58 PM
標題:
SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?
請問各位前輩.
6 v" T1 T8 T( y5 B& k
SRAM好像有分1 port, 2 port, dual port這3種
0 \ j5 B' B( Q. J. ?
然後又有所謂的register file SRAM,也有1port, 2port.
; k g/ h& ~9 A: ?" _$ a
& V9 f- q G& }. _- w
請問這些的差別是什麼阿? 應用上又有什麼不一樣呢?
) u, V7 \: V6 G" k2 H9 U% w
! t4 Q* A9 f- ]8 O$ P
對這些實在是覺得很混亂,有人可以幫忙解說一下嗎?謝謝~
作者:
stanlly9
時間:
2009-6-7 11:03 AM
首先，定義這個名詞的其實是製作這個SRAM的設計公司。
4 K8 a& G% a, [9 D C. g
我碰過的例子，也許是大部分的例子。
% @! o& t. v7 ^5 A! p) ~5 _
one-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀、1寫。
; ~' @" f+ \! z! i
dual-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條，address 2條]
2 z2 A7 ~: u* x& d8 {' \# B& V
two-port 是在1個clock cycle之內支援：2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條，address 2條]
0 [; ?" [' I) T& C; o8 V1 F
) W! r$ @' m! H7 j; A, ~
SARAM跟Register-file的差距在於密度問題，當然電路的長相也不同[換句話說 面積跟消耗功率也是不同]
2 s1 `( l* v4 ?: V% M: a
普通情況而言，SRAM的密度比較大，同樣面積底下可以塞多一點資料，但是他的address line的最低要求要比較大
# j% {' l0 M. e( s9 V8 e+ @
可能address line一定要8個bits左右，但是使用者未必會使用到這麼多entries。
2 \9 W( U4 e0 v; ~3 K5 r% Q
5 c! k% |9 V4 I7 _- d" u, |+ _
Register-file則是可以擁有比較小的entries，但是他最大能容納的entries數量應該遠不如SRAM...
作者:
masonchung
時間:
2009-9-22 11:48 AM
你寫的 dual-port 和 two-port 反過來嚕
* r; [/ v1 k; k+ F: G9 ~
我用Faraday Memaker 產生
, R3 }3 }' h' S a2 j2 L5 S [
( X7 D Y* `8 {+ S
two-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條，address 2條]
7 ] z& k1 x3 N0 L7 n
dual-port 是在1個clock cycle之內支援：2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條，address 2條]
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. ~7 k3 O9 `6 ]
有錯請指正~
作者:
memcad
時間:
2009-10-12 11:51 AM
標題:
回復 1# 的帖子
dual port sram 一般基于8管SRAM结构，读出靠的是sense Amplifier，需要复杂的写入和读出逻辑，面积很大，而且都是硬IP，用到的metal层多，一般要block 3层metal。所以，APR的时候一般是放在芯片的外围。优点是：规模可以做大，一般是大于16Kb，规模阵列，可以shink最小drc rule面积利用率高。
) X5 G+ ]2 o: w1 k4 ], D
register file一般是基于latch结构的存储单元，用户可以根据需要自动综合width和depth。规模不能大，<1kb，优点是读写控制用standard cell做，可以APR，因此可以merge到整个设计中，共用走线通道，可以放在core中。
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