標題: 關於電阻的設計 [打印本頁] 作者: squirrel316 時間: 2009-5-22 12:17 PM 標題: 關於電阻的設計 在CMOS製程中 4 @9 K, X( P& l9 T大致上可以知道說阻值等於sheet resistance*(L/W) # x: B* [' ?* o) i9 N' {不過我有個問題就是L跟W值的選取 - I; g P. w& N8 s8 T9 O! e9 A假設我要讓L/W=2 ' N" e5 z- l" H. o我可以有很多種選擇 像是2u/1u 4u/2u ...等 9 O6 R5 D) v1 r) I0 E那請問一下這幾種選擇除了雜散電容造成的影響之外; o4 |: a6 ]2 c* Y5 b7 |( y
還會有什麼影響. Z9 I k4 A6 p5 k& P e
謝謝指教作者: seanyang1337 時間: 2009-5-22 03:30 PM
Dear squirrel316,2 i3 q1 O7 X) i2 i, o6 b5 u
Basicly, the W should big enought and has a low bond(usually 2u for above 0.35um). ' `, Z- t/ D/ B/ l% _If you using too small scale like 1um, the accuracy will be very poor.& h K! T) ~: @4 f8 i
And it should be considered the eatch value. ! c* {; ?3 r7 dAs a reference, the foundry resistor test key, was measured by 10u/10u or larger.