標題: tsmc 0.35 工艺的带隙基准可以做到多大电压 [打印本頁] 作者: mixsignal 時間: 2009-6-13 11:54 PM 標題: tsmc 0.35 工艺的带隙基准可以做到多大电压 我仿真的结果是1.18v的样子，以前做过别的工艺都能达到1.2以上。不知道这个工艺就这样了还是我做错了作者: jesseyu 時間: 2009-6-15 11:46 AM
Should always be around 1.2V, shouldn't be so low because it's the band gap of Silicon, which should be quite consistent作者: garyinhk 時間: 2009-6-15 03:49 PM
我也覺得大概就在1.2v左右，帶隙電壓的特性~其他的電壓可以通過res divider來自行定義~作者: semico_ljj 時間: 2009-6-15 05:55 PM
above 1.2,around 1.22~1.25,usually!