GgobalFoundries詳細介紹22奈米及更小尺寸的先進技術

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(20090618 11:50:08)美國商業資訊加州桑尼維爾和日本東京消息——GLOBALFOUNDRIES今天介紹了一種創新技術，該技術可以克服推進高介電金屬閘極（HKMG）電晶體的一個主要障礙，從而將該產業向具有更強運算能力和大大延長的電池使用壽命的下一代行動裝置推進了一步。

+ N5 O% p0 @1 t2 W& v5 N& x9 J眾所周知，半導體產業一直致力於克服似乎難以逾越的困難，以延續更小、更快、更節能的產品趨勢。研究是透過GLOBALFOUNDRIES參與IBM技術聯盟來與IBM合作的形式進行的，目的在繼續將半導體元件的尺寸縮小到22奈米節點及更小尺寸。

3 `( Q, @' b0 N6 r3 o; S! q在2009年於日本京都舉行的VLSI技術研討會上，GLOBALFOUNDRIES首次展示了可使高介電金屬閘極（HKMG）電晶體的等效氧化層厚度（EOT）縮小到遠遠小於22奈米節點所需水準，同時保持了低漏電、低閾值電壓和優越的載流子遷移率等優點的技術。

3 U$ M, x- S/ G! E, c# HGLOBALFOUNDRIES技術與研發資深副總裁Gregg Bartlett表示：「HKMG是GLOBALFOUNDRIES技術藍圖的關鍵元件。這種進展可能最終為客戶提供另一種提高其產品性能的工具，尤其是在快速成長具有長電池壽命的超可攜式筆記型電腦和智慧手機市場。透過與IBM及聯盟夥伴的合作，我們利用我們的全球知識庫開發先進的技術，幫助客戶立足於半導體製造的前端。」

為了保持HKMG電晶體的開關精度，必須減少高介電氧化層的等效氧化層厚度。然而，減少EOT會增加洩漏電流，從而增加微晶片的功耗。GLOBALFOUNDRIES和IBM已經開發出一種可克服這一障礙的新技術，首次展示了將EOT縮小到遠遠低於22奈米節點，同時保持所需的漏電流、閾值電壓和載流子遷移率是可以實現的。透過使用0.55nm的EOT製造n-MOSFET裝置和0.7nm的EOT製造p-MOSFET期間，結果得到了成功的展示。
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關於GLOBALFOUNDRIES
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GLOBALFOUNDRIES公司是世界第一家真正的全球性尖端半導體製造企業。GLOBALFOUNDRIE公司由AMD (紐約證券交易所：AMD) 和ATIC (Advanced Technology Investment Company) 於2009年3月合作成立，公司提供尖端技術、卓越製造和全球經營的獨特結合。GLOBALFOUNDRIES公司總部設在矽谷，並在奧斯汀、德勒斯登和紐約設廠。