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標題: MOS的gate能承受多大的電壓？ [打印本頁]

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作者: corsair    時間: 2009-6-22 11:59 PM
標題: MOS的gate能承受多大的電壓？
在multi-power的系統中
在各個不同電壓準位變化時
如果遇到高轉低(ex: 5->3.3)
. P4 l% L* T. D" a0 {: x如何得知這個3.3V的device是否會被5V電壓擊穿gate?
) d6 S5 s, u! P, d# S謝謝

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作者: rogeretrend    時間: 2009-6-24 04:21 PM
應該不會被擊穿,但會有life time 的問題(3.3v崩潰電壓大約6V以)

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作者: 白痴    時間: 2009-6-24 05:41 PM
你必須要詳讀data sheet,裡面會有寫明, 不同的mos會有不同的最大值, 有些雖然是小信號mos但是耐電壓比一般mos大, 不能同理而論

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作者: semico_ljj    時間: 2009-6-24 06:24 PM
最好不要！万一5V有个波动，到了5.5V，那么Breakdown很有可能

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作者: alab307    時間: 2009-6-25 11:40 AM
這種Overdrive的操作很多人用
. O( _, M* A' z! \9 i/ N% A* B如果您對device不是很了解, 就不要用吧

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作者: weixinglu    時間: 2009-7-3 04:08 PM
仔细读data sheet，裡面會有寫明。

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作者: yjcruz    時間: 2009-7-8 12:00 AM
MOS管好像耐压比较高吧，晶体管原理方面的资料好像说击穿电压是30来伏，很久没看了，记得不清楚了

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作者: yjcruz    時間: 2009-7-8 12:00 AM
MOS管好像耐压比较高吧，晶体管原理方面的资料好像说击穿电压是30来伏，很久没看了，记得不清楚了

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作者: semiartist    時間: 2009-7-8 02:32 PM
最好不要這樣冒險。。。。。但我公司有人喜歡冒險。比如是5V的 VGS，他卻用到了8V。。。。

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作者: semico_ljj    時間: 2009-7-9 08:58 AM

原帖由 yjcruz 於 2009-7-8 12:00 AM 發表
( p: X6 q0 G% Z+ G- ~MOS管好像耐压比较高吧，晶体管原理方面的资料好像说击穿电压是30来伏，很久没看了，记得不清楚了

% y; g* k, w  z9 {哈哈哈。30V，不是bipolar！！！

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作者: semico_ljj    時間: 2009-7-9 08:59 AM
3.3V的确实在5.5~6V左右就是容易击穿的区域了，至少不能长时间稳定工作！

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作者: semico_ljj    時間: 2009-7-9 08:59 AM
5V的一般可以到8V，但是也不安全！

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作者: semiartist    時間: 2009-7-15 10:04 AM

原帖由 semico_ljj 於 2009-7-9 08:59 AM 發表
  T+ N4 F2 h( i- P5V的一般可以到8V，但是也不安全！

請問semico_ljj兄，您說的“不安全”是否是說使用一段時間後會壞掉（也就是使用壽命有限），還是管子出廠能達到8V的良率低？謝謝！

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