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標題: 中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電 [打印本頁]
作者: semico_ljj    時間: 2009-7-2 01:39 PM
標題: 中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電
深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
3 q6 ]0 B. A4 [7 \---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性( O/ N- I% L* y8 h7 b8 }* A* N

3 P& O* J7 E- ]  q一、前言
" m3 Z  f0 C, Z1 j二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體& H7 I8 G5 |( f5 W; E/ r" `
三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理
! i1 m% t4 L. `8 D. A四、實驗結果與分析推論) q$ g* ]: ]2 V, O# E
五、結論
5 [& o( u( F' h% Q0 X
9 d& }' a" `- i/ z. G- ]5 Q0 f
作者: alienwarejian    時間: 2015-5-10 03:41 PM
為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限
作者: sbm81tw    時間: 2018-11-28 04:16 PM
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作者: k200630901    時間: 2019-1-26 08:56 PM
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作者: balam2018    時間: 2019-3-13 07:04 PM
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作者: sslin    時間: 2021-6-7 10:28 AM

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3 Q5 h% v" X4 H* C6 O# p: g深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響: ]0 ^/ ^! ?% g. F

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作者: myokd    時間: 2022-11-24 12:28 AM
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