Chip123 科技應用創新平台
標題:
关于RC振荡器温漂的解决方法
[打印本頁]
作者:
lynker
時間:
2009-7-20 05:12 PM
標題:
关于RC振荡器温漂的解决方法
方法（一）、（二）、适用的振荡器结构为比较器+�流源+电容+latch
& P3 h: O) y- _% A) r/ } u
" U8 H. @2 G( @+ {
（一）
) w8 r! V ~6 O$ k
1）使用低温漂电阻。
8 I% G8 l+ B8 `8 O5 ]% _$ c- S
2）如果没有低温漂电阻，就用正温系数的电阻串联负温系数的电阻，去等效低温漂的电阻。
4 b/ z9 t& a' j# g
根据f=1/RC
7 V" l" N9 F7 D/ O' B3 H
若有低温漂电阻，则可省去基准。方法是用电源分压产生Vref，再把Vref加到低温漂电阻上产生Iref即Iref=Vref/R。可抵消电源对输出频率的影响
- J; T+ t( D6 ?4 ^6 R$ Z: G
（二）
. i& J# c+ g6 C% Z+ _
如果低温漂电阻无法实现。
& S' y: m/ u% K5 G$ y
则可使用电压基准+电流基准，由电压基准生成Vref，由电流基准生成Iref。
7 ?: w) z% u) i" e U+ f2 ?
Iref=Iptat+Ictat
, Q& o9 d. R9 n3 ?' C% H8 ]
Ictat可由Vbe/R产生。
. F/ N% [4 X1 i6 p" s9 z4 L6 b, n
（三）
* N: m+ R; u n0 F0 r* y/ l+ k! L
交叉电荷泵+积分器+比较器+latch
* I. V: Y& a# O- R9 Q/ x# ~, C8 n
这种结构也需要低温漂电阻，但是电路结构比较特别，频率可以做的相对高些。
1 A5 ~8 [# u" k% |
见Maxim专利US7109804，该专利介绍了RC-OSC的发展史，提及了进化过程中较有特点的几种OSC电路结构，并进行了优劣对比和特点介绍。
$ t' X( W2 [' |9 [* L8 S8 W1 ?
Maxim多款RC-OSC采用该专利所提及的电路结构，建议大家仔细研究。
% n# y* q1 m9 L4 M) k
附件为专利US7109804
* \9 p) ~: [5 _
若附件无法下载大家可去freepatentsonline查询下载。
/ [2 X- L4 T: y4 n+ b, c3 z
' C# E; X! j) U+ D5 h; y, R# g
若大家有好的方法，请不吝赐教！
) A w$ V/ O, l1 b. k2 Z
我们互相学习！
; g: y6 u+ Q) F8 C, V; a v4 r
谢谢！
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://free.vireal.world/chip123_website/innoingbbs/)
Powered by Discuz! X3.2
