標題: deep n-well [打印本頁] 作者: familys123 時間: 2009-8-26 11:14 PM 標題: deep n-well 我是剛設計rf電路新手，在設計好電路後layout時 ! C. n2 c1 U' x2 S! U% t6 c+ I, p. D& J" S* Q
發覺rf的mos最外圈有兩層，最內圈是body而最外圈是deep n-well9 u; q5 \: a, i7 v
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我那時不知道那是deep n-well，而在layout時nmos那圈我都接地4 s. C; A4 Q" U @( W z" ^0 b0 M
7 |% i8 q2 ^) ]2 Q3 \+ P8 I. o而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了，所以我不需要動它. K) V0 q$ t5 S
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在我最近下線完後發覺好像不太對，我把nmos flatten掉才知道 J: P3 G$ w$ b4 V5 A& C
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它叫deep n-well，nmos的body是p型，那我還把deep n-well接地# e$ H+ ^) j3 y
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那不是有可能順偏，我電路中body都跟source接在一起，而我的電 0 A( D$ e" n" ^0 i; ` Z- t& d/ b! O
路中source又不一定接地，那這樣子我的電路很有可能不work嗎？ $ b$ b& Z& q* D! N; R0 p" Z" }- P$ b0 R) W/ y
deep n-well是一個電晶體配一個，還是整個wafer配一個，若是整個wafer2 [0 b" h2 ^& p/ @( J$ l
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一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接？ / B, _ y9 _8 F8 f. Y( r& u) R C9 z! e4 E1 ]7 h
那deep n-well我該怎樣接才對？1.與body接在一起2.不要接(浮接)7 l- S/ Q$ t+ W0 q
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3.接到最高電位。那種方式會比較好，而一般會用那種方法？ " X8 [, s/ u) J# q i' i" B8 z3 j* U. B" n' t7 p+ I2 y
而我所使用的是.18製程。作者: areutheregod 時間: 2009-11-22 04:24 PM
我把這一篇推上來，因為我也有疑問，- ]+ h. E7 S# G$ u: i: ]
過去其它製程剛好沒有deep n-well ，現在用TSMC.18的model發現有deep n-well ， ) h# ]2 h2 @+ ]1 O' T& B7 G上課的時候說過這樣把所有的body都分開，所以可以單獨mos的s和b端接在一起，- A( ~5 J9 ~% V: k- g
可有違過去的經驗，雖為了怕bodyeffect而把sb端相接， n9 S/ X* z: ~$ U) O4 s可怕latch-up，所以把b端都接最負電源， 6 |/ b4 `- k0 L$ ~$ M9 A如今.18有這樣的製程設計，是否表示可以把sb端相接 ? 只要外圍有deep n-well ?( h! b3 _" y3 c# y
有先進可以回答嗎?作者: semico_ljj 時間: 2009-11-24 03:33 PM
Deep Nwell就是为了实现sub隔离用的
sub隔离用的