Chip123 科技應用創新平台
標題:
跪求…
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作者:
extrc
時間:
2009-8-27 07:58 PM
標題:
跪求…
請問板上大大，lay ESD mos 有什麼須要注意的地方嗎? 感恩感恩…
作者:
clarkhuang
時間:
2009-8-28 12:41 PM
正統的話 應該還是按照DESING RULE 去畫 比較不會有問題喔
. v0 ?) p; F }9 Z4 P! m" L
希望這建議對你有幫助
作者:
james65chan
時間:
2009-8-28 01:34 PM
標題:
ESD mos
1. poly width 選定
" ]5 p: x6 e- K5 {6 ]$ e: A# Z
2. cont 到 poly gate 的距離
. D) _" P$ z7 w. [9 J$ Q
3. cont 到 od edge 的距離
# u: ?+ B ^ n) I' `$ a
4. P/N mos 的距離
; k" E1 n' V/ J/ ^4 w- `
5. ground ring width
3 Y) r+ d2 P T8 Y7 F _" |
6. 是否加 dob-Ring
! M' `) e$ F9 d9 }9 {
7. P/N mos width 的選定
作者:
motofatfat
時間:
2009-8-28 02:44 PM
同意樓上ㄉ看法
. u, U6 V D' U% q- I! d
粉多時候是經驗值
* o. b( w3 }- d1 h
ESD mos
3 R, t5 S0 E M1 k! ?
1. poly width 選定
3 \% f, Y& Y$ m: v2 H" i7 ?, T
2. cont 到 poly gate 的距離------- 通常是 一般rule ㄉ 2-3 倍左右
6 z: i) b9 H% }" [1 _- Z
3. cont 到 od edge 的距離 ------ 通常和 cont 到 poly gate 的距離 比 是 3:1 or 4:1
% x& ] J0 l9 O C5 H
4. P/N mos 的距離
* `2 I7 A! J. V; z, Y" G# r
5. ground ring width- --------- 通常是2個VIA 以上的寬度
8 Q2 o/ D) G, B k: l$ D4 R
6. 是否加 dob-Ring --------- 通常是一定要ㄉ
4 i6 n9 l% H) X; [2 o
7. P/N mos width 的選定
, J" R5 U y! J; @" j
補充一點
F$ v G. N+ u% Q" A; ?1 n+ z+ R
8.看製程 決定 RPO or ESD LAYER ㄉ使用
作者:
rice019
時間:
2009-8-29 12:03 PM
還有metal線也必須注意 source 跟 drain 的metal line注意平均 還有最後可以用top metal做補強 top metal 較厚可以承受比較大的電流
作者:
extrc
時間:
2009-9-4 09:04 AM
感恩感恩…
" m$ y+ ?' T3 E( _: d7 |- P3 O) }
讓我又多學了一些相關知識了
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