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標題:
請問在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好
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作者:
james65chan
時間:
2009-8-28 01:50 PM
標題:
請問在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好
有時LAYOUT有剩餘的空間可以放電容，
' S- m/ _3 @, F1 o5 n& q% o
請問各位先賢在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好
2 k0 k' P/ M: Q4 y2 f
/ p8 Q" R3 u7 O9 F! J
P/N MOS 如何達到穩壓的效果
作者:
shucai
時間:
2009-8-30 10:37 PM
从原理上来讲,NMOS还是PMOS作电容并无本质上的查别,因为都是依赖与gate做介质.至于具体的选择依据,我的看法是: 1)电容两端的结点间的电压范围--如果对容值要求不是很准确的话关系不大; 2)一般来讲PMOS会方便些,因为不需要构筑额外的well来处理sub的连接.
作者:
james65chan
時間:
2009-8-31 01:25 PM
嗯!那如果有跨壓noise 的 issue.
" n$ Y) O* _( |# i) i" O ~% M
是否就應用 pmos 電容，
" f* V7 p1 |, c
因其include 在nwell 中，
& V5 ^' e- b! r, ?! S
沒錯DRC RULE會較大，影響size.
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) Y/ P4 h6 f/ ?* U! C |0 y; q: V
" z4 T0 f2 M1 w- Z/ f- Q% p
所以說 在不考慮 noise 的情況下 nmos 電容與 pmos 電容 效用一樣嗎？
作者:
duanzy
時間:
2009-8-31 05:19 PM
个人看法，仅供参考：
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$ G' I$ I( D- `: O, V- V) L* m$ ]
用PMOS做电容的时候，PMOS的NWELL与衬底（p型）形成一个反偏二极管，当地线上来一个瞬间大电流，能通过这个来对mos电容栅极进行保护。当然，在栅极上加一个小电阻是常用的做法。
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. ?9 l, I" U1 A6 i7 c
但是PMOS的电容比NMOS的电容小，如果不考虑ESD的可靠性方面，单从电容滤波方面考虑的话，NMOS应该比PMOS好~
作者:
motofatfat
時間:
2009-9-4 01:18 PM
同意樓上的看法
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以原理來看
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PMOS 的載子 是 電洞
# Q9 P, d7 B! X9 X& `+ ?
NMOS 的載子 是 電子
+ y& _0 i* }2 V1 P* @, u* l: ?
電子移動較快
; U5 O: ]( k+ _( J6 R4 i3 L7 G
如果無其他考慮
9 C0 l! u8 m9 I. I5 y0 A
NMOS 似乎 較佳
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