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標題: 什麼時候用poly去繞線呢?? [打印本頁]

作者: kevinpu    時間: 2009-9-4 08:44 AM
標題: 什麼時候用poly去繞線呢??
如題...
% A+ D! N* l$ Y8 K1 g( v7 }
. d! {( a; i3 ^9 M我發現幾個inverter串接時,常常就會用poly去做繞線...% n4 g* n( E/ c1 a- L
還有拆mos(ex.將W/L=10/10 拆成兩個W/L=5/10,以此類推)時,也會常看到用poly去連接gate
+ H+ }1 N! Q% i* Z
- R: f3 \8 n4 O如此現象,那用poly去繞線的時機為何呢??
: a* D/ c$ g6 c0 Z- U& ?大家有什麼想法,歡迎提出來ㄧ起討論唷....
; F) {8 n8 c6 @8 MBest regards
作者: kevinpu    時間: 2009-9-4 08:50 AM
之前聽過一種說法...; R; ?  N8 F. I" v, Y, @, f8 q
那就是等電位時....
. F1 |" D( a0 }! o也就是在這連接間,並沒有電流...
% a: N7 {$ X' q: @- a
: \3 C4 `- J5 r( Y0 n那上述的現象,有符合以上的規則嗎??
1 H8 @+ K, a/ w( r3 t因為analog的layout有很多matching的現象1 X7 C5 \/ E9 d/ D
對此,大家在poly routing的使用時機為何???
/ R9 O6 j. n' F  v歡迎踴躍發言唷!!!
  ~3 l! m+ W* z) J+ P2 h& RBest regards
作者: motofatfat    時間: 2009-9-4 01:16 PM
儘可能用 metal
+ J; ~5 k0 W. l. v8 @3 c  m1 W) w: ^有時候受限於情況下
0 \4 `3 o8 W* o" E無法用metal 繞線 才用poly$ z  B8 e( @' `+ o" k
盡可能愈短愈好 畢竟 電阻值
2 ?) G' B: z* ^! [5 S較 metal  高
作者: rice019    時間: 2009-9-4 02:04 PM
過去的製程有些是1P1M1 m/ e1 _. s' @4 L% N
所以非得用Poly繞線不可
6 c& K- n, w& l1 r另外一些低利潤的產品0 _" V1 J/ w0 ?# q
為了省光罩錢也會使用poly繞線
  S' g6 ?/ o% ~但是poly繞線在開發階段很容易遇到問題
7 A; F) O+ \7 l4 [5 x) e( O尤其工程實驗上的FIB
2 p/ b; W: d! ?Poly的FIB廠商通常不保證良率2 l; P' M0 g, m
Debug上會造成很大困擾
作者: antoniocc    時間: 2009-9-7 01:54 PM
個人的作法是能用matel一定用metal( q1 `! b- N9 U2 i
除非真的是繞不出來
作者: semico_ljj    時間: 2009-9-7 09:44 PM
高速模拟一般不这样!只有数字标准单元才!
作者: qqaaw    時間: 2009-9-15 02:08 PM
個人認為必須先用metal用完
" C( L6 Y7 j' n$ S才用poly繞 除非是相隔兩個很近剛好又是poly材質才用poly. t- z5 ?% f% p) _
要不然一律都用metal繞
作者: REFINED    時間: 2009-10-8 05:00 AM
個人認為這完全是看電路的考量' t* O  I# q  M+ w  Z
當然也要看功力 POLY狂拉的也是有阿
作者: semico_ljj    時間: 2009-10-8 07:51 PM
3Metal  以上得 process 一般不用poly!
作者: morrris    時間: 2009-10-9 11:03 PM
小弟也同意盡量用metal去繞線的原則
. \0 K- W* \+ |0 q( O" S$ Z除非電阻性對該電路影響力沒有 很大
作者: 小緯仔    時間: 2009-10-12 03:25 PM
有時候要去分析看看可能寄生阻值
9 G* P& [4 {8 g3 Z6 M如果說poly兩點很近; E9 Z$ s7 R; {
我是建議直接用poly去拉; }  t; |* R: e
因為如果兩點很近用metal去拉
, s5 _4 Q% ^4 @0 M/ k( [* q* S還要再加上contact有時候可能所寄生出的阻值% w' v8 z0 Z& L. \9 {
比直接用poly拉還要大




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