Chip123 科技應用創新平台
標題:
extracting mos parameter
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作者:
jeffyoung
時間:
2009-9-9 09:20 PM
標題:
extracting mos parameter
請問各位前輩 小弟最近需要找出新製程的mos 參數
6 v% i! I' I' e1 ~4 l. Y
$ V! z% }; g4 l' d" H, h
請問有什麼辦法 可以使用hspice找出製程參數呢?
作者:
dennyan
時間:
2009-9-15 04:28 PM
個人是用一套BSIMPRO+的軟體
2 X/ H$ a" T! U- W0 t
依照它的量測資料讀入後
5 i3 H/ h9 T- W3 E) G, s+ o9 ~
就可以依照curve去調整model parameter!
, [; l) Q( E6 g
所以重點還是要先量出實際的data!
" }2 b2 D6 M- L7 E# A1 l
希望有幫到忙!
作者:
pkf690801
時間:
2009-9-15 05:16 PM
1.掛上你所需要的modle file
) Y0 j: {7 P& Y0 A; T5 x
2.寫一個nmos(pmos)
; X; m( ~# V) ]6 v; ^: h* ~+ V
3.跑hspice確認lis檔即可
$ f: i$ O7 j/ @) ^3 P. { h
4.如不掛modle file參數都可自定...那就不需要確認mos參數了
作者:
hoodlum
時間:
2009-9-15 06:21 PM
我的習慣是拿到新的model
8 O- c# d% w9 V
都會跑NMOS和PMOS的IV curve
/ a3 u' k- P* \( |& l. Z6 X9 {
裡面就可以得到很多資訊包含mobility相關參數等等
3 I8 L9 ?8 I" H- d9 _% }0 J
MOS接成diode後再掃IV curve就可以得到VT
1 {0 [ E; A/ X6 ?
這樣其實MOS model 參數就大致都得到了
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