Chip123 科技應用創新平台
標題:
spice model中一些MOSFET的參數要怎麼求得？
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作者:
sereniva
時間:
2009-9-27 11:59 AM
標題:
spice model中一些MOSFET的參數要怎麼求得？
小弟目前使用TSMC .18的model
2 n, Q7 j% M2 H) S, f0 J: b; `; p3 i6 F
想要找出MOS的μ0、ro、Cox等數據，來設計電流、電壓值
! ^' ]4 U& i7 o, Y5 m
但是卻不知該怎麼從 .l檔案裡面去找出這些數據
6 q$ A: E- \" g
9 ]5 l: Q8 k/ i$ c2 |
目前大概知道μ0就是裡面的U0
( q* ?% M0 J' B8 |" e H% W# ?
但是ro=va/id，這個va值要怎麼知道呢？
: ?" R8 h5 Q' J! }4 b# K
還有Cox=εox/tox，εox的值也不知道怎麼獲得？
9 [! _ Q p+ A$ K
& X) P5 y* {. U
有好幾個參數不知道數據是都多少，真的不知道該怎麼設計了...
7 M5 E. Y l0 q
電子學的那套計算方式根本沒辦法使用
2 D# S/ J1 H, C5 w3 |
只能亂tune W和L的值，真的好累
3 \+ G+ r$ [4 g% j, h/ |( p
! E5 ^) m7 w0 C
請前輩們指導我一下該怎麼跨出第一步呀
' @% s" l( c9 W& M
感恩
作者:
skiptoo
時間:
2009-9-29 12:30 AM
关于εox，这是sio2的介电率 其值可通过计算得到，为sio2的相对介电常数*真空介电率 所以这个值基本是个固定值
! |* r& I& a' a# b! Y
tox可通过查看制程文件得到。
4 x7 |7 w2 s1 E+ R7 Y% Y5 M
关于ro，在高阶模型里面LAMBDA就很难手算出来了，可以通过跑传输曲线看出个大概
作者:
rice019
時間:
2009-10-10 11:55 AM
Cox其實製程文件裡面會寫
/ ]9 }* c, k s. J1 S% T, ~
也可以跑模擬看出 比如說跑個 1/1的mos
; X# O2 D+ V" U$ Y7 e( ~5 u
spice檔加 .option captab
) i4 W' [! e) i! ?- n- u( E1 r8 w
看lis檔就會有電容大小 cgtotal
1 s) Q7 G q! y% h6 _
除以面積就是單位電容
, W6 F0 |0 I5 d
不過電容跟厚度有很直接關係
N3 k4 Y5 l7 X. v0 V
類比工程師也需要有個概念
7 A6 R' V7 c4 H) B' A7 u# @ [
gate oxide 90A 1x1um大概3fF
% W5 x, z6 P$ ^& ^5 k
70A的接近5fF以此類推
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