Chip123 科技應用創新平台

標題: 請問關於tsmc018製程裡面的pwell [打印本頁]
作者: tshiu    時間: 2009-10-26 04:11 PM
標題: 請問關於tsmc018製程裡面的pwell
請問通常在什麼情況之下NMOS需要包PWELL/ ^2 t" O& w; c" C
PWELL對阻隔雜訊地效果好嗎! Y7 m( U( p0 y4 i6 q+ z& J! B
(因為之前用35製程只有PMOS包NWELL)
作者: tshiu    時間: 2009-10-26 06:10 PM
目前知道在18製程裡面使用PWELL會多一道光罩程序% o6 D4 _/ V  O0 i  S! x
可以增加NMOS的參雜濃度
作者: 小緯仔    時間: 2009-10-27 10:44 PM
當你sub的電位不一樣時% o% z0 W- u  t2 H
                                                    8 H7 l+ \6 m( ?, I
也可以使用！
作者: singt1496    時間: 2009-10-29 03:01 PM
通常不只有一組低電位時會用到psub2這層layer，但還是要看ocmmand怎麼決定的…
作者: motofatfat    時間: 2009-11-11 10:14 AM
看你ㄉ 製程 決定% W4 Q: J6 ?" _9 y
通常 T ㄉ  PWELL 光罩 1 g' e0 _  U$ c: I* T* D4 w
都是 NWELL 的資料  邏輯 運算 出來9 q3 ^6 A' A1 Z  N2 x$ L
所以要看你ㄉ DESIGN　ＲＵＬＥ　
+ R( n8 r: Y: j- u! t( o5 t和　光罩製程資料" ^* i2 F7 g  ^! y/ @2 J
　
7 ]5 x6 k& {7 ^' ^" U, JPWELL對阻隔雜訊地效果好嗎' 還是要看製程



歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://free.vireal.world/chip123_website/innoingbbs/) Powered by Discuz! X3.2