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標題:
laser trimming layout应该注意哪些
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作者:
jian1712
時間:
2009-10-30 12:38 PM
標題:
laser trimming layout应该注意哪些
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈，laser trimming的layout需要注意什么，先谢谢了。
作者:
小包
時間:
2009-10-31 12:36 AM
標題:
回復 1# 的帖子
使用laser trimming，要看你是給哪家做的，跟他們要rule，照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。
# R# d$ l' e4 ~9 ^
一般情況，都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type（metal fuse或poly fuse）要一樣，同一個chip的fuse最好擺在一起，可以節省trimming的時間，如果不能擺一起，擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
作者:
jian1712
時間:
2009-11-2 01:39 PM
標題:
回復 2# 的帖子
非常感谢你的回到，另外我还有些问题:
- N8 h( s! Q6 y
1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些
# D$ K+ s( p: K0 e) n; h
2,fuse上面是否需要开窗口，这个在rule里面没有提到
# f1 `+ b0 a; M
3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面，而且和fuse用的同一个layer，那么如果fuse上面开窗口的话，L mark上面应该也要开窗口吧
5 R5 s+ M6 k- w/ K
4,L mark可否放在fuse的附近，而不放在die的corner附近
作者:
小包
時間:
2009-11-2 10:44 PM
標題:
回復 3# 的帖子
1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd，有些在線路的設計上就是只能用metal fuse，因為poly fuse相當於一個電阻，有些則是都ok。另外要注意的是，如果使用METAL FUSE，要注意METAL 厚度多少，若是有使用厚METAL，可能會有TRIM不斷的疑慮~
+ Z. Y2 H2 ?3 C& @
2、fuse上一定要開窗口，不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer（一般是用passivation/CB），不過一定有說要多大的開窗，只是用的名詞不同，譬如說有的會定義side wall包FUSE多少，SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商，沒寫就太跨張了~
! \2 k; C: F5 R8 e: R
3、Lmark是給機器定位用的，所以也要開窗哦~~
) Z& C: E" W0 g" n. v
4、LMARK可不可以放在FUSE旁，似乎沒有硬性規定，只要符合RULE就OK了，基本上我們都是放在CHIP有空的地方。
/ y7 L' V0 i/ ?; n" J. |
9 K: \3 u* X* M* k# ?
[
本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯
]
作者:
jian1712
時間:
2009-11-12 04:30 PM
回復 4# 的帖子
" |, t& w% m' W1 y! a. F
非常感谢你的回复，但我仍有一些问题请教：
8 {: m# Q/ o- z+ g3 t. u& J
1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口，在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层，那么即使开了窗口（就是把fuse上的passivation刻蚀掉），但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的，但是poly fuse不一样了，poly上面的oxide和passivation都很厚，足有几个um,那么这样的话，poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来（通过过刻蚀实现），才能trim。在这里我主要关心的是，fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?
4 M" g' Q* B9 U, l6 H
2.fuse和L-mark都需要开窗口，那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值，因为我拿到rule里面要球开窗口，但是没有具体的尺寸
* f9 o/ F4 p; g, S4 s! K5 \
3.L-mark在rule里面可以只放一个，而且位置随意
& M& ^- j+ x! L
4.为了节省trim的时间，多个fuse的摆放，有没有什么特殊的要求，rule上面写到可以摆放在一排
作者:
小包
時間:
2009-11-12 08:54 PM
回復
5#
jian1712
" @8 T/ Y% i* U1 s
0 I( O/ ~3 ]) w3 e3 l: j8 J
1。理論上是不管你有什麼layer存在，只要上面有cb這層layer，就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim，我個人的想法是沒有問題的，因為laser trim是打雷射的能量進去，它應該是可以打穿od以上的layer，只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦，關於你的疑慮應該去請教你們的廠商，因為這些東西每家不一樣，有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠，目前為止我們下過的沒有發生過。
3 S `) o z3 Y( _3 R( z0 Y' S: F
2。一般會比pad稍為小一點。
) R$ z8 Q* S4 X
3。其實lmark放在fuse近一點是最好的，因為機器在對到mark的時後，移動到fuse的距離會比較短。
% e+ n( v1 u, ?) y+ @
4。多個fuse的時後，|||||| |||||| |||||||→最好；
: L5 D3 _4 R. J, [
|||||
( m2 j f; ]$ m5 D! ?6 g8 v) D i2 `
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0 g* P- x; C R4 e- `: N
|||||→普通
- |$ w( z R% B) B6 U. S
( x% h+ {% j/ w% R% U! u
|||||
$ @" M7 F7 S1 ^; B9 l
≡≡≡→最差。一堆直的，一堆橫的最差，因為chip要轉向，lmark要重新對
作者:
jian1712
時間:
2009-11-18 09:23 AM
回復
6#
小包
: Y% j: `; C/ E- B
谢谢
作者:
leoyangqi
時間:
2009-11-21 09:26 PM
又学到很多呀呵呵呵，很感谢
作者:
fpas445
時間:
2010-2-4 08:54 PM
剛出社會的新手
9 U* I1 a6 G! R' T8 w
這些專業知識
+ j5 t- o0 }7 S) ?& v5 y0 t
對我來說
" j5 j) T6 R: `. @
是非常有幫助的
* C; a0 v1 T3 f k1 q
感謝老前輩的提供知識
作者:
fpas445
時間:
2010-2-4 08:58 PM
剛出社會的新手
V0 \2 Y1 ^! W0 t& _
這些專業知識
# m$ v; \1 b t: l5 \7 K
對我來說
% E( r! K8 A; [' B- x- V
是非常有幫助的
, M$ C" r: C% M
感謝老前輩的提供知識
作者:
antoniocc
時間:
2010-3-19 05:16 PM
雖然沒作過LASER TRIMMING
! ?" N" Q0 \' n( C6 Y t
先學下來以備不時之需囉
! _* r$ x( d7 ?% {
謝謝分享
作者:
yuany
時間:
2010-3-24 04:30 PM
学习了一下
+ n1 Y$ n( I5 x4 y
哈哈哈
4 a8 N' ^/ n9 t) r8 J+ C
谢谢分享
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://free.vireal.world/chip123_website/innoingbbs/)
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