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標題:
請問附件圖片layout圖
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作者:
gwuel888
時間:
2009-11-3 09:12 PM
標題:
請問附件圖片layout圖
請問各位,以下有些問題須大家幫忙
( @4 `; h' W: o* w) v; r
1.有人知道附件圖片layout圖,是MOS還是BJT? 或是另一種元件?
6 j c: C# s' ?$ D$ }6 v) `: \5 q
2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
' [% A! r$ O9 ^7 e. K' [7 T3 L6 o
3.MOS電容LAYOUT有參考書籍或是建議以供參考嗎?
% f' o# J( l+ P \2 N
) _$ e4 U) t$ Z8 e" ^) n- m
6 O2 [/ t' t& ]2 i2 q" G
謝謝@@
作者:
小包
時間:
2009-11-3 10:58 PM
長得有點像 lateral pnp的BJT，它只有2顆嗎??
9 d" c5 d" L; _$ z6 B
1P2M只能用一般MOS當電容吧~
& h7 T: e1 }4 H4 p" ^- |( X# j$ h
MOS當電容只要把S/D/B接到一起接VDD或GND就好了~
9 E: F: N- O0 b( F7 A
/ c9 m0 x! o0 n2 q( `# d
[
本帖最後由 小包 於 2009-11-3 11:00 PM 編輯
]
作者:
motofatfat
時間:
2009-11-4 10:08 AM
2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
: n, j/ Y7 d# x. T% Q9 O
既然是 1 P 2 M 哪來 兩層POLY ?
" ~& Y- Y3 H i
光憑這樣 粉難看出來
0 D( C1 c: f; S8 @
也有可能是 2 層 Metal MIM ㄉ 電容
0 g$ `: |: m$ a' i
可以說明一下 這張圖是 Metal 層 還是 去掉 一層 METAL 以後ㄉ 圖
作者:
gwuel888
時間:
2009-11-4 01:02 PM
附件一層METAL 1+ POLY 與只有 POLY 圖片
作者:
gwuel888
時間:
2009-11-4 01:08 PM
標題:
回復 2# 的帖子
因為之前我嘗試有畫過電容,但到了LVS 時就有不知道要如何做?
1 c- Y5 r, ^8 J1 J* Q! R: C
請問一下
0 U) B: ^$ }$ ^$ ~& n
1.那mos電容SPICE 語法如何下
8 D' W/ w0 Y, f: M$ R
是==> MCAP VDD! NET2 VDD! VDD! PCH W=2u l=1u
& e( ~1 k& C9 y0 I
2.容值如何知道??
作者:
kazamigai
時間:
2009-11-4 05:39 PM
看來像是顆mos，中間一顆cont應該是D端
- G& u6 R" q+ M( [' k
外面一排（5顆）cont應該是S端
* J6 N* M' ]4 ~7 |5 D1 ]
, L8 I* C- S! J& n' Z' |0 W
應該不是mos電容，看m1跑法並沒有把s與d接在一起
作者:
小包
時間:
2009-11-10 11:35 PM
回復
4#
gwuel888
0 M! b8 @- P' P1 Z; Y; n
& [. |5 H/ J: c; @/ O8 d+ Y
一般mos電容的語法跟普通mos的寫法一樣，容值要請rd去根據製程推算。
/ Y2 U0 L( J* d1 }+ H D8 A
看到你po的metal1的圖，這個東西上面有4個接點，我想他真的是lateral pnp的BJT，因為這種架構的bjt是高壓製程的bjt，emitter跟base是同一塊od，中間圍上一圈poly來控製emitter跟base的關係，最外面的od才是collector
作者:
小包
時間:
2009-11-10 11:37 PM
回復
7#
小包
/ v9 [$ U! U, n9 B3 l/ _6 u
( T4 h" w7 C1 q( x, M; E
4 M3 M$ y2 C) U K/ b2 Z
不過這種bjt現在很少人用了~有些原本有做的fab廠後來也都不提供這種元件了
作者:
kazamigai
時間:
2009-11-11 09:12 AM
但我覺得不太像是BJT，因為所附上的圖有用到poly，在我的記憶中似乎沒有BJT有用到poly
作者:
gwuel888
時間:
2009-11-11 05:58 PM
1.感謝各位抽空答覆!!
7 Z4 f8 D$ `+ j& `
2.此製程1P2M 0.6um
# z* y* j* I! B
3.附件是電容畫法結構，小弟才疏學淺 想問說此電容會是mos電容嗎?[attach]8333[/attach][attach]8333[/attach]
作者:
小包
時間:
2009-11-11 09:45 PM
回復
9#
kazamigai
! Q6 B6 ~+ t$ p5 R
7 [/ |3 V9 b- h7 N; t5 n4 V, Y
確實有這種bjt
; P# E8 D5 ~3 [! n
只是你沒有碰過
, @$ r; g. r; z' w+ P
它叫做lateral架構pnp的BJT
# d j2 K [* h2 ?# r
為高壓製程，非常少人使用
) I+ i6 h( W) q9 o
我也只lay過一次
5 L9 n) r6 Q3 F# {9 n- q1 e
有本書上有介紹這種元件
% W0 y$ D3 q9 J. R1 D; @9 J
"analysis and design of analog integrated circuits"
0 W# c2 ^" ?3 z
ISBN: 0-471-37752-x
k$ T: p, n$ J. T
page 109
7 T6 B, ~: Q9 H& J% u
你去看就知道我說的東西了
作者:
小包
時間:
2009-11-11 09:48 PM
回復
10#
gwuel888
! c. j' k) ?* m, h, G- D4 h
+ [1 u. N0 T* v8 j U
2 e1 X x- w1 J- _' S
你po的圖不是mos電容吧~~
' e% E6 K9 j; A7 W1 r+ y
看起來比較像是PIP電容…所以他不是1P2M吧
- w; {0 O r3 w' ?
因為MOS電容長得跟普通MOS一樣
: N+ }" U3 J) S/ E+ u
只是SOURCE/DRAIN/BULK 接POWER
8 h$ H" A0 h+ O( d3 J3 _
GATE接訊號線
作者:
kazamigai
時間:
2009-11-12 02:58 PM
按照給的圖形來看，應該類似於此圖。
2 I; z# X0 Q$ J8 U
中間cont為Drain，外圈一排cont為Source，
& J) ]1 L$ ^5 w1 r: \0 R
在poly上的cont為gate，會用此劃法的情況下是想在有限的面積裡，求得最大的w值
( N* X" W- n: w+ @4 m( E
這是小弟的經驗談（因為有畫過像此的劃法）
作者:
kazamigai
時間:
2009-11-12 04:04 PM
附上圖片
1 E$ a% t, x/ u5 e& t8 T- i7 D8 ]
[attach]8336[/attach]
作者:
小包
時間:
2009-11-12 08:58 PM
回復
14#
kazamigai
$ ^/ L9 P/ n) ?6 s% N
5 N6 T# d; Z& e6 H' D) W1 T0 i3 f$ G
有道理~
8 N7 y _0 E7 o; {3 \
我也lay過類似的mos
$ u4 ` R. u% `+ E; F
雖然長得不太像~
; \6 Z3 a4 J9 e& z1 p F6 a
也是一樣用poly繞drain一圈
作者:
CHIP321
時間:
2009-11-13 11:09 PM
同意kazamigai的看法，做MOS解釋要好些，如果能確認是1P2M的標準MOS製程，那么應當確認無疑了。
作者:
pkf690801
時間:
2009-11-28 07:24 AM
thanks..............................................
作者:
shangyi
時間:
2010-5-7 06:16 PM
雖然我沒畫過...但還是發表一些淺見
8 X; |* y1 n( J2 j; o
中間那圈有接contact的應該是thin oxide
, [5 W q) {" P0 U1 t8 o X6 W
外面跟它相同顏色的應該是thick oxide
8 C6 J/ e+ Q5 j: t$ s
有點粉紅色的應該是difusion
% h3 |+ J1 K& q
內圈應該是drain 因為周長最小 雜散電容最小
' r& P) C$ |2 ^. V! m/ U `
外圈應該是source
. }- Z: _ o) d: {, M/ Y( n' e
此種mos layout 雖然在相同面積下會有比較大的 W/L ratio
R1 L' N: \5 |+ ]( E2 `
但ratio值難以估算 所以比較不精準
+ ~. o# T- z, Z% a
比較不適用於要求精準的類比電路
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