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標題: 低压工艺设计高压电路的害处？ [打印本頁]

作者: chaojixin 時間: 2010-3-24 10:25 PM
標題: 低压工艺设计高压电路的害处？
具体是想用2.5V工艺设计3.0～3.7V转5V的charge pump regulator或者boost DC-DC，这主要的危害在哪里呢？有什么办法解决吗？（换工艺除外）

谢谢！！！

作者: lss510 時間: 2010-4-21 06:37 PM
2.5 V的工藝?看不懂你的意思,請問是製程0.35um或0.25um的意思嗎? 基本上超過他的breakdown電壓就不行了吧,可能你需要作一個內部LDO regulator來supply你的其它電路喔,

作者: patrick02046 時間: 2012-4-7 09:41 PM
很難吧。低壓的gate oxide不夠厚，很容易gate 被擊穿。 VDS的耐壓還可以賭賭看。

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