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標題:
請問各位大大,關於MOS電容下極版問題
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作者:
tommy01
時間:
2010-4-12 06:07 PM
標題:
請問各位大大,關於MOS電容下極版問題
若是NMOS做的電容
" O8 D) _/ S! r8 W) M
上極是版G極,絕緣層是薄氧化層,
那下極版是基底還是N通道呢?
我有查書說明有三種狀態
4 ?$ l$ p* E/ f @/ c
1,通道未型成時
4 @8 k0 n) x' @" z
2,三極管區
' V& J- T* G- Q* h$ b
3,飽和區
7 |7 N* B& r# p$ ^, h G
但是RD通常叫我算POLY跟OXIDE重疊的面積就好
5 K( j) o, ~5 t
這樣是操作在哪一狀態呢???
作者:
kkk000777
時間:
2010-5-3 08:21 PM
3,飽和區
6 @& P5 a! C9 y
通常 depletion 都要形成，電容值才會穩定
' i: a& u- T& `
所以使用的範圍 Vg 會超過 Vtn ,
/ I. @# B% f7 u3 V. T1 B2 \; n0 j
如果想要使用雙向電容的話，可以用 barrier N+ , let mos always turn on.
作者:
poseidonpid
時間:
2010-5-5 10:56 AM
通常應該是工作在 (2,三極管區)，因為MOS電容的S,D,B三個腳位會是接在一起，Vgs=Vgd，所以是在三極管區，在電路設計上，MOS電容通常是由W和L的面積算出來的，但會非常不準，通常是用在穩壓用，而且在不同的電壓時，電容值會不同(Razavi的類比IC設計第二章)，要大於Vth後電容值才會較穩定，且不適合當雙向電容使用(如OP的miller 補償電容)。
作者:
semico_ljj
時間:
2010-5-5 11:01 AM
工作在反型层 状态
作者:
chungming
時間:
2010-5-28 12:17 AM
example for NMOS :
8 q1 ~. y9 s5 |) r0 R% T [5 y+ h
Vg > Vth MOS at deep triode region, MOS Cap at strong inversion
! i# k' S1 n4 r) c, c2 }
Vg <Vth MOS OFF, MOS Cap at accumulation
# ~* S% y( V3 w1 U6 t
' ^$ w* z% Y$ ~8 b0 _
You can see Razavi Chap2 pp. 39
& j( v. D& U9 U
Good Luck ~ !
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