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標題: MIM、PIP、Nwell 電容、MOS 電容、Diffusion 電容,何者可以跨線過去 [打印本頁]

作者: 372412    時間: 2010-4-29 09:38 AM
標題: MIM、PIP、Nwell 電容、MOS 電容、Diffusion 電容,何者可以跨線過去
MIM、PIP、Nwell 電容、MOS 電容、Diffusion 電容,何者可以跨線過去
9 Z) z$ m( i% {3 E/ X可以跨的話要用什麼線跨MIM、PIP、Nwell 電容、MOS 電容、Diffusion 電容,何者可以跨線過去
作者: nebula0911    時間: 2010-6-21 01:49 PM
除非因空間問題經designer同意後才跨線,尤其是製程越來越精密,跨線過去就會影響電容值,chip不確定的因素又多一個.
作者: clarkhuang    時間: 2010-7-1 04:17 PM
最簡單的就是問RD 不然 就是要靠經驗去累積了   希望對你有幫助
作者: smilodon    時間: 2010-7-10 01:53 PM
常用的就是MOS电容,MIM电容,其它似乎很少用到了。
4 I5 I6 x$ y$ \* }* J% H从不增加寄生电容,从而couple 信号到电容上这个角度,尽量不要走线;( z# F6 Q6 w: |
但是在MOS电容充当decoupling cap时,上面可以走线;MIM电容一般都用在对精度有要求的场合,一般都放在Nwell里,来隔离衬底Noise的影响,因此在下面走线基本不能考虑。# Z* V: C; h1 C# |+ h$ O
总之,首先看电容的构成,再看电容在电路里的用途,不是绝对的。




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