4 a% U" r+ o. X# O7 }( `+ w1 J$ G: T2 W我後來debug出來了,跟大家分享一下,以下先回應各位大哥的問題' ?/ a; R& f' u8 t3 J
期望可以學習到更多的東西/ u' `/ K8 X, ]2 L1 {9 Q" y# r
6 I1 k- i1 L# P' I6 n8 G9 l0 _1 Q回應阿森納大! i3 S h9 ]4 {) Z
就算input不是rail to rail,其整體操作打0-VDD的方波在接成unity gain buffer還是可以達到應有的輸出 , y. L$ \( x1 u- K2 t只是在那時並非操作在電晶體該存在的區域,所以速度會呈現像是e^-1次方緩慢成長而非線性增加: @2 r8 U1 s* l3 m0 e5 G. F" Z. F
以下圖為例,是一個PMOS input的two stage OP9 @1 c. z. k* I; G% ?8 F- G1 L1 f
[attach]9808[/attach]% S# S: X, ?& X2 \
當Vin+端為VDD時,電晶體關掉,而Vout逐漸上升 : y r$ U% @" c* ~, ?左邊Vin-那顆電晶體也逐漸關掉,但相較於右方輸入級接到的是絕對VDD的值 9 |# q: [& h, h左邊電晶體關掉但因為Vout還沒等於VDD所以subthrethold leakage會比右邊的大9 u6 {5 d9 p& O) M" ^: V
最後逐漸將他充到接近VDD而完成一次buffer的操作 5 q1 R: i8 E( R) E* k3 Q! H, O# M3 k
而輸出端是rail to rail吧!輸出為零時把下方NMOS壓到triode region輸出VDD時電流源自己triode: c+ n! l# F% K! a/ U j
我之前在模擬一般的two stage OP和gain boosting OP時打方波進去都是OK的6 Y5 ?8 E( z4 x% \
2 ]( {) F# y; X M' G& r
回應e2000大- ~; `# y" R; v+ @/ X
channel length是為了在低壓下實現出高增益的放大器1 ^, a$ U( n/ E0 D
主要是因為之後要做的DAC大概估了一下gain error導致的nonlinearity而算& F' w# k, P P! [1 s
速度上的考量是還好,重要的是精確,所以當時才會以length為1下去做設計作者: Bookert0921 時間: 2010-5-26 05:10 PM
回應li202大 & _6 Z3 j2 E& F/ u3 f( ~輸出端肯定是可以跑0-VDD的,雖說是class A操作,在大信號的操作下0 ]% T7 H& U! w
仍然有辦法把電流源hold住或者把它全部導到地 . m$ r4 C1 g) s* P! ]而針對你所說input DC位準在1.2V下其他電晶體會跌出saturation2 y/ ?" ]8 ^3 L( t
我有不太一樣的看法,一般來說NMOS input,在意的是common mode的下限 6 u& v) g' i2 _% P而PMOS要注意的是common mode的上限,對NMOS input而言 : E: k, ?' V$ V9 Q! ` J只要操過那個點之後電路都會維持在saturation region , Q& W \( V% q5 W3 G而會改變的是電流源的drain端voltage,但那只會讓電流源更加的deep saturation 9 Y3 x8 g3 ?% V8 G9 j% ^所以應該不會造成其他電晶體跌出saturation外 0 U6 f# l/ `, G" b6 l而輸入端rail to rail我在前面回應過阿森納大,我認為輸入不是rail to rail沒關係 H( D( s* O, x# R2 B8 _8 p; b
若有rail to rail的方波打進來,接成unity gain buffer後只要輸出可以rail to rail即可呈現作者: Bookert0921 時間: 2010-5-26 05:11 PM
後來這個暫態的問題我自己的發現是因為folded cascode這個獨特的架構 # j* i- J+ L9 N" }如同B. Razavi AIC的p.333和Martin的p.268,我把圖抓出來如下所式 : z9 G" `+ N/ V4 K/ C; P+ P當Iss>Ip時會潛在性的造成電路有不穩定的可能發生,我當初設計時有加入clamp transistor(圖上沒畫但code裡面有) ; o8 t# I* d3 R. n9 G& c( J& F[attach]9810[/attach]! ?( Y$ V) [, P
但是因為folded那級的電流太小,以致於NMOS的drain端遭受很大的暫態/ b8 ]" j- o4 o* J; [
所以我就加入.ic去看該點電壓在何時會導致不穩定,在將folded那一級的電流給加大 * f6 `) Y0 j$ ^7 ]$ a6 A如同書上所講,當Iss=Ip似乎是個比較好的設計,這是我這次學習到的教訓9 d( d0 @; R6 P: ^& V$ J
~1 S; @: T5 y A" {$ Z如果覺得小弟哪邊觀念不對,希望大家不吝指正8 M+ j' c. e# r3 S
電路設計就是需要被大家教訓一下,才會刻苦銘心; d) R! F, `! \
以上,謝謝大家作者: semico_ljj 時間: 2010-5-27 10:08 AM 回復 17#Bookert09211 W5 k @/ e! C% ]
我觉得可能不是这个原因造成的!作者: chungming 時間: 2010-5-27 11:50 PM
your input command mode rage is 0 to Vdd - (Vsg1+Vdsat5) . Q! N; g* a4 f0 e4 _output command mode range is Vdsat7 to VDD-Vdsat6: d" E, ~5 `! Q" h1 c0 H
: |8 e; d t) G- I! C1 k, U$ _if this opamp is connected as unit gain buffer,3 j1 Q0 ]6 k% k" b# g
then the input & output command mode rage will be the same as vdsat7 to Vdd - (Vsg1+Vdsat5) 4 w$ H4 u7 W5 f5 Y6 O, }, r0 F9 ?1 R: l# Z, S( h( N$ x1 C& e. i7 O
don't trust simulation too much ! / M( s1 R7 Q( d8 f2 w' gIf you really want to design a real world opamp.作者: Bookert0921 時間: 2010-5-28 10:44 AM
謝謝chungming大的回應 5 f( X- t, ^3 }; [可以請問一下,考慮上述in/out common mode的情況下2 ]) Z! T2 b8 A1 d% v3 x* I- t
接成UGB為何在模擬上仍可從follow input的方波從0-VDD作者: chungming 時間: 2010-6-5 11:38 PM