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標題: 请问在mim电容下放器件需要注意哪些呢? [打印本頁]

作者: scy8080    時間: 2010-5-21 03:14 PM
標題: 请问在mim电容下放器件需要注意哪些呢?
我准备用smic.18 1p6m rf工艺,需要在mim电容下面放器件来节省面积,有这么做过的大大讲下需要注意哪方面呢?谢谢
7 t0 A7 i6 M# j3 T; B, o/ s, S比如电容匹配性影响,寄生电容影响等,如何精确计算评估这些寄生影响,及后仿如何提取出这些参数影响呢。
作者: Nancy_Yeh    時間: 2010-6-2 11:39 AM
MIM底下最常放的東西是邏輯
* C  X) K4 j: I" R9 C% @但是也要RD同意0 t- p& U( a. ]6 c3 d8 i. y
至於寄生電容收抽POSTSIM就知道啦
7 m4 G  q* f# ]. M2 s% M如果是很重要的電容要做match
8 |: c4 z! v* i2 K2 \那當然不能放啦+ A: ]  o  O* f: ~! w* ~+ ^1 N- F
要放也要RD同意
作者: scy8080    時間: 2010-6-11 10:46 AM
谢谢,仔细看了design rule,规定下面不能放任何有源和无源器件。
作者: smilodon    時間: 2010-7-10 02:02 PM
谢谢,仔细看了design rule,规定下面不能放任何有源和无源器件。0 l* R7 d5 ^$ i# X- \- F% w" H
scy8080 發表於 2010-6-11 10:46 AM
- `4 E& F/ K( D- ^& w

  _  {1 R' j& W3 T  g- lFoundry的rule是为了保证MIM电容的可靠性和精度,实际上,我们在下面做过期间,不过我们的MIM电容和下面的MOS电容都是加在电源和地之间,起decoupling作用,是在HHNEC 0.13um工艺上实现的。




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