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標題:
請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤
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作者:
answerbyme
時間:
2010-6-6 12:13 AM
標題:
請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤
小弟LAYOUT完電路後,有碰到密度問題,後來也補上各個METAL密度後,DRC後密度已經解決了...
6 L# P# P# E: a9 d4 [- ^& J' D+ | ?
但是又出現AMS.1.M1、M2、M3、M4、這些錯誤,我用的I/O PAD不是TSMC 提供的I/O PAD...
; K1 M w2 U7 ^+ o. J5 T0 R$ l
想請問各位大大如何DRC這個錯誤!!
作者:
motofatfat
時間:
2010-6-10 02:27 PM
把AMS.1.M1、M2、M3、M4、error 描速清楚一些
, _' U; x9 Y( B. B% Q' D
才能知道 如何解 , 不是TSMC 提供的 這無妨
3 n1 C1 r/ E f$ l! t9 `1 v( R, F' I8 R
PAD CELL 粉多時候是經驗直
作者:
m851055
時間:
2010-6-10 05:58 PM
請把rules的描述詳細說明,可能的話也把圖示PO上來。
作者:
answerbyme
時間:
2010-6-11 02:50 PM
回復
3#
m851055
" g, A7 u: u6 p9 o$ k4 x; k
不好意思...我DRC錯誤的圖如下...
: f) j9 L* _$ R! ~$ E/ A7 z4 o: A. D
希望有人可以給我意見指導!! 謝謝!!
8 S$ F) e. W: C; ^
; `2 C/ `! s& ]; I
[attach]9954[/attach]
作者:
m851055
時間:
2010-6-11 07:25 PM
就把大於35um的Metal做個slots就好了,要不就是用多條小於35um的metal畫。
作者:
answerbyme
時間:
2010-6-13 01:22 AM
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5#
m851055
! o" W* d1 A) T" @* t- X
9 h9 X' V; j" u+ x- G, c# Q
多謝大大的指導和意見...你說的slots我不太懂...
* F% r1 G$ `8 o4 j( \; v$ E
可否解釋一下...不好意思!!
作者:
m851055
時間:
2010-6-13 07:36 AM
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6#
answerbyme
% U2 o' z2 f' D- U
, q4 N) v4 S, {* f& m& z: S
2 i5 D& \$ `$ O* J8 B
大於35um 的metal在中心處挖掉metal,一般DRC paper尚有可參考圖示
作者:
motofatfat
時間:
2010-6-14 02:46 PM
slots 就是開個凹槽 通常 2X15 或是 2X10
% E( n9 c' q6 q( ]8 [' N; t
如果是在 PAD OPEN之下 rule 會避開
' O& S0 E/ w& f/ [# o$ u
如果是在 PAD CELL 配合一個製程工程師
}7 P0 t6 ~9 o' G; N1 U. J$ s
看看 有時候可以忽略
作者:
ponyshih
時間:
2010-6-15 02:24 PM
如果是因為你為了補metal density而造成的勸你再重畫.
4 Y* S0 r6 m' I% u
可以試著捕metal方塊: w=2 l=10 spacing:2um.
作者:
answerbyme
時間:
2010-6-15 04:04 PM
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9#
ponyshih
; v5 D7 `: F) \+ ?8 b
& j$ A+ g1 L" t d6 y
謝謝各位大大的意見和指導...讓我受益良多..
) w- f$ V+ f1 X) Z: k% R. Z0 E
小弟已經了解了!!大家一起努力囉!!
作者:
nebula0911
時間:
2010-6-30 11:06 AM
關於挖slot的問題,可以參考
http://www.armbell.com/forum/vie ... mp;mforum=iclayout.
7 d' P$ X: m4 g/ e
在這次project中幫我省了不少時間,不敢藏私,與大家分享!!
作者:
semico_ljj
時間:
2010-7-1 11:53 AM
理解slot 最好的方法是看Design Rule!
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