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標題: mos管串联使用是不是相当于增加了管子的L呀？ [打印本頁]

作者: hitxiaojun 時間: 2010-6-8 03:08 PM
標題: mos管串联使用是不是相当于增加了管子的L呀？
mos管串联使用是不是相当于增加了管子的L呀？串联的两个nmos管的sub均接gnd。
哪位大大能帮忙解决一下阿？？

作者: Zuman 時間: 2010-6-8 07:14 PM
恩，但是不能理解为单纯的L=L1+L2，因为前提是W1=W2~~~

作者: hitxiaojun 時間: 2010-6-8 07:24 PM
本帖最後由 hitxiaojun 於 2010-6-8 07:25 PM 編輯

是的，W相同，这样做的好处是什么呢？最近在对一个芯片进行电路再现时，发现其电流源均为串联，比如两个w/l=1.4u/1.45u的nmos管串联放置，为何不用一个1.4u/2.9u的管子呢？因为串联的话，总是有一个管子处于线形区的呀，那样的话，电流源的阻抗不是就变小了么？

作者: Zuman 時間: 2010-6-8 09:14 PM
恩，是这样的，但是如果是电流源的话，串联起来的接法镜像电流的error更小~~~
忘了那篇paper有提到过~~我找找~~讲bandgap reference的

作者: Zuman 時間: 2010-6-8 09:18 PM
好像是：Design and optimization of a high PSRR CMOS bandgap voltage reference这篇有提到，好久没看了，你自己看看吧~~~
附件不知道怎么粘贴，你自己看怎么下或者有需要我email你

作者: Zuman 時間: 2010-6-8 09:19 PM
具体就是这样的电流镜结构的镜像error会小些~~~

作者: hitxiaojun 時間: 2010-6-9 12:55 PM
回復 6# Zuman
谢谢大大，我去把这篇paper下下来看看~~~

作者: hitxiaojun 時間: 2010-6-9 01:07 PM

我看了里面的说明就是说了一个结论，镜像error会小，有没有相关验证或者推导这两个结构具有相同的电流函数的资料呢？我印象中好像专门有人推导过这两个结构等效，忘记了是什么资料

作者: renzhq 時間: 2010-6-19 11:09 AM
一般这种接法的bias都是给cascode提供bias的，这样的话给mosT引入一个体效应

作者: hitxiaojun 時間: 2010-6-28 08:36 PM
那如果是做单电流源呢？做current mirror的话，这样有没有好处呢？？

作者: semico_ljj 時間: 2010-6-29 09:46 AM
这样的链接方法肯定有一个管子处于线性区

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