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標題: TSMC 0.35um製程，Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V LAYOUT 如果要畫電容應該要怎麼畫呢 [打印本頁]
作者: chris77jw    時間: 2010-6-29 04:29 PM
標題: TSMC 0.35um製程，Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V LAYOUT 如果要畫電容應該要怎麼畫呢
各位大大您好，小棣想要請問TSMC 0.35um製程，Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V 如果要畫電容應該要怎麼畫呢，因為我打電話過去問CIC的人員，他們要我去上暑期的訓練課程，可是現在我沒有辦法去，因為我快要畢業了，所以想要再這裡請問一些有經驗的大大，請問LAYOUT 電容應該要怎麼畫呢
作者: yuany    時間: 2010-6-30 12:48 PM
TSMC 0.35um  Design Rule里没有写的吗?9 w: z! v6 D4 a6 |- U8 J
有好多种cap啊3 M( @' a5 q$ j4 `0 [; W4 j# z
pip 两层poly作两极板; [4 P, F5 V7 G8 q0 U- M' \
MOS cap  就是PMOS&NMOS管
8 _$ f" M) @0 Y9 b' yMIM cap 就是相邻两层matel 作为两极板) O- I, P% Z  i/ |
Nwell cap  nwell上面加层Pdiff / Q/ S5 C, G* I) |6 D2 F
等等...
作者: chris77jw    時間: 2010-7-1 03:10 PM
可是他寫的不詳細，只有說可以用什麼來用，可是我不知道電容詳細的layout過程及步驟應該要怎樣
作者: smilodon    時間: 2010-7-10 02:12 PM
0.35里最好使用PIP电容，就是由poly1和ploy2构成平板电容，重叠的部分就是电容，非交叠的部分用金属引出即可。
作者: motofatfat    時間: 2010-7-12 02:43 PM
先畫  POLY1     Y um X Y um
+ c' \+ _6 b7 K在畫 POLY2      Z um X Zum
- h& v$ V; \5 F) y9 C( Y1 H通常  下層版 較大  RULE 會有$ @/ a1 R& A! G2 s! F9 b$ t5 p
做一個 POLY1 　CO ME1 的 CELL　　連接　　ＰＯＬＹ１" U' n4 Z# Z' e  v8 M2 }
做一個 POLY２ CO ME1 的 CELL　　連接　　ＰＯＬＹ２
9 ^* Y# ]! A5 N. qＸ　＆　Ｙ　重疊的地方就是　電容大小
作者: 97003006    時間: 2010-7-26 12:18 PM
現在有PDK的功能呀~% c1 ]1 e6 E% [* T
你可以去看看你是否有申請~0 e1 j+ f* O. V1 b5 W
這個功能可以讓你畫LAYOUT速度變快很多
作者: 藍色趴趴熊    時間: 2010-11-6 11:44 PM
先去cic下載pdk吧~~~! C+ X: G& `# l
由於我是用laker畫的，所以我以前是先用virtuso去開然後在轉到laker上的...
9 c: G; o+ P6 L6 Z! K1 k& }8 j但是聽說pdk也是可以在laker上開啟，可能要在問問其它前輩了吧...



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