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標題: ESD失效分析求助 [打印本頁]
作者: andyjackcao    時間: 2010-11-20 02:59 PM
標題: ESD失效分析求助
2颗VDD到地测试3 b& o, u/ O. J5 a' S
1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
( X. T# F4 i" f! }6 a2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效6 m6 Q4 Z% s) ]( m, b5 u) y+ |
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
1 n1 x: Y4 ^6 y# g失效机理是怎么会事，多谢
作者: klim    時間: 2011-1-18 02:32 PM
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:8 b- M  E- o& g! H: u
1. 請問製程為何?6 b7 s* B. u* C+ s4 k
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?: n9 H, d7 Y0 ?% a2 |9 ?0 N
3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?3 `- {" u' V6 j) X$ d
要有上述的數據才能做最基本的分析.
作者: andyjackcao    時間: 2011-3-27 11:34 AM
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:* @8 L. E; `  K
1. 請問製程為何?
) Z3 D8 I) ]  q1 O( J2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...8 i, `! ~8 ^" N1 v) O8 @, ]+ x1 G0 M
klim 發表於 2011-1-18 14:32

6 x8 M0 ^8 a/ {( ?; [. d/ F4 q  C' D' h* b
1), 請問製程為何?
9 n# |+ o8 g5 Q' o, K' d tsmc 0.18um 5 K2 f; D. K" K8 o6 X
6 l4 {, n: |: V" n: H( j) @, s7 g/ y
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
2 F1 W; s& A$ W5 X, n# }: p0 q两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打
2 z4 D- c( l3 c6 n6 w$ @. O3 {3 D: ]3 c  d
3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置
作者: postme    時間: 2012-2-12 01:41 PM
感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？
作者: andyjackcao    時間: 2012-3-13 08:20 PM
感谢关注,ESD问题已经解决
作者: tuza2000    時間: 2012-7-12 12:21 PM
how to resolved it????
作者: andyjackcao    時間: 2012-8-21 09:40 PM
在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路
作者: chang707070    時間: 2013-10-13 02:30 AM
在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
- u$ H- ^  h1 }' t均勻是指什麼
7 c6 R" y( E1 L" i0 d3 m/ I3 b方便貼圖上來嗎



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