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標題: 集成MOS電源芯片老化問題 [打印本頁]

作者: hvpower    時間: 2011-1-10 01:20 PM
標題: 集成MOS電源芯片老化問題
芯片如果不出現過溫保護則一切表現正常,過溫保護後亦能工作,但SD端電阻只有兩三百K歐姆(正常爲兆歐級別);DS段電阻變爲4M左右(正常是無窮大)再次高溫烘烤後芯片恢複正常,並且過溫後也不再損壞;) L& n' g3 [* Y
未過溫保護前對芯片高溫烘烤,也不會再出現過溫保護後DS電阻變小的問題。




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