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標題:
集成MOS電源芯片老化問題
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作者:
hvpower
時間:
2011-1-10 01:20 PM
標題:
集成MOS電源芯片老化問題
芯片如果不出現過溫保護則一切表現正常,過溫保護後亦能工作,但SD端電阻只有兩三百K歐姆(正常爲兆歐級別);DS段電阻變爲4M左右(正常是無窮大)再次高溫烘烤後芯片恢複正常,並且過溫後也不再損壞;
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未過溫保護前對芯片高溫烘烤,也不會再出現過溫保護後DS電阻變小的問題。
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