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標題: 高壓製程 [打印本頁]
作者: b0917353006cool    時間: 2011-6-10 06:20 PM
標題: 高壓製程
請問大大，我現在想學關於高壓製程Layout& p- r) _) w- ]2 U
那我對高壓製程的構造不是很了解，可以介紹網站或資料給我做參考參考嗎?
作者: sleon1662    時間: 2011-8-10 09:37 PM
感謝大大無私的分享啊! B' O% R0 S* \" |- W6 m! j
. r; ]5 T2 E( d% x! h9 \
感謝感謝~~~~~~~
作者: fish1121    時間: 2011-9-1 10:46 AM
咦!!~~~我只有看到問題
5 ?" Z1 T6 p4 H- o9 I5 I有分享任何資訊嗎?!+ _$ p0 v: c8 R/ v! i2 {% r3 g& l
小女無材$ O( b7 D/ J8 I/ u# R7 u5 |
看不懂勒
作者: calton    時間: 2011-12-7 05:10 PM
我勒个去，同没看到材料，为毛会有人感谢大大。
作者: bobo lin    時間: 2011-12-21 03:03 PM
我也是看不到耶....是因為權限還沒到嗎?
作者: bernie820    時間: 2011-12-26 06:32 PM
我也沒瞰傲任何的東瞎呀~太客怕了吧! H1 H9 F7 z( [' u

5 q) s$ c4 J5 v2 V1 ~- o) ~這就是所謂的國王的答案嗎??XD
作者: CHIP321    時間: 2011-12-28 11:35 AM
請問大大，我現在想學關於高壓製程Layout
0 n0 h+ V+ C! t- `那我對高壓製程的構造不是很了解，可以介紹網站或資料給我做參考 ...3 E# B$ d+ G: C5 f) ~( K
b0917353006cool 發表於 2011-6-10 06:20 PM

% P+ q* M: Y5 ~+ L0 J4 ]; ^6 }4 s. s8 L3 m5 Z% d
個人淺見，分享下關於高壓製程和佈圖學習應驗
) V+ b" D/ E: B7 y0 R1：首先理解目前我們HV製程的一個簡單劃分
  w0 R# S7 j9 o( z" \2 K   不同的廠家，會有不同的定義，在深亞微米中，可能5V VBRDS的Device已經被識別為高壓。) }" h3 _) N( d; T$ H6 b$ T
   依據VBRDS/VGSmax大致可以作一個劃分
' ?* E5 Z5 _( a3 m    LV1 T, u( m7 U' D. V" Y$ u
    VbrDS<5V/ N0 V( G8 Q6 N5 T
      MV . N5 S+ N! D( i: z+ L8 B
     15V<VbrDS<25V" p6 Z& w& w8 [0 b' t" D$ e
      HV* p7 Q7 Q! i" t
     30 <VbrDS<45V9 y! y. Z) _! g! G. @
     45<VbrDS<80V7 @2 g  d/ k* k6 W, n) R
     UHV
' d/ m. T" w0 ~" w* U     80<VbrDS<120V
; `7 E0 N" c5 v0 a5 J     500V<VbrDS
( \- ^( R( U& P     800V<VbrDS$ k5 i' |1 A  c, E7 a
     目前大致會做這樣幾個區間的劃分，這種狀況與製成本身的發展，產品系列兼容，甚至考慮兼容早期BIPOLAR用於電力，電機產品有一定關係。" Z7 y2 y; c! w

4 C: J5 m4 H; I* e8 p4 H0 A- ^2 f2：此後，可以按照自己學習興趣與工作需求，選取制定學習計劃
/ b0 A! {. @1 t, |6 S/ B   並理解器件的物理和電學特性
5 k, s5 [& `) W' s   這樣做是必須的，好處也很明顯。只有這樣才能避免犯錯誤，才能理解高壓規則的制訂依據或者限制級在那裏。, N; K: `& Q) o
   一些圖書是必須的，製程介紹類的圖書相信大家都不會缺少，特別強調下，在30V以上時，最好下功夫對LDMOS做細緻的學習。7 n5 j  F% C7 N2 z* V; p$ H  w: R9 f, p
   如果涉及到80V左右的應用，尤其需要謹慎，因爲在CMOS時代這個電壓區間是比較尷尬的，HVI可能會帶來leakage current的問題，一定要與廠家做好細緻溝通，並在Pre-tapout前作好Review。
+ H5 ~/ o7 t% [- U# b   500V之上的的單片集成應用必然會涉及到Resurf技術或者SOI的應用，這樣的製程會與普通的結隔離又較大的差異，HVI也會帶來影響。不過一般廠家都會給出一些解決方案，' x' [, g1 @* d! C8 c; D1 H9 I9 i
   IR，摩托等等公司也產生了很多專利 ，讓人感嘆設計師的創造力之強 。# q' U& b7 |; [
   理論的學習，% k$ B# c7 {% B5 l1 Z% \0 F
   推介使用陈星弼老先生的那本《功率mosfet與高壓集成電路》，這是一部相當老的圖書，出版于幾十年前，但是對基本結構，如場板，終端結構等等的介紹很清晰明瞭。
( O- F- |6 T8 p8 J3 P7 V   原書已經絕版，好在資料可以到網路上搜索到。4 p' Z$ M' m- |3 ^# L2 v: e7 X$ Z3 P
6 U. A% L8 x1 I5 }4 l+ q* `, Q, L7 Y* X
3：實踐! I0 a! P+ b5 h0 E# o. [; M' X
   檢索了目前大多數的論文與報告，並不令人滿意。在這個工程領域，主要的技術應當是各個廠家。
' q, S( n  b4 C- W3 q# }   UMC/TSMC年前都對這個領域作了開發，可能主要的目標是指向對新能源產品的支持，可以咨詢並下載相關文檔。其中給出了Refrence Rules和相應的guide line，這些規則大部分對其他產品設計依然有
& ?, C8 ^, Y# }2 O( P; o   參考的作用。此外 X-FAB，AMIS在這個領域可以說是歐美洲區域領導者地位，結構也與台系有區別。尤其AMIS。不過好像已經被ON收購，可能會在合作中產生一定障礙。
1 v# d. p1 y7 z4 o   特別提一下新竹的EPISL，應當是臺灣較早投入這個領域的廠家之一，EPI是HVDevice的關鍵之一，或許是EPISL的最大優勢。當然，還有極低的價格。
( b/ r% o4 T3 [+ O, U
& M& c3 l9 @% T( ^, \0 E4：Reverse engineering7 e. n  n0 `+ U4 }0 ^) N
    對於新的公司新的設計，是個可選，當然僅限與佈圖參考，如果完全依賴，那就驚險了。# A- @, m5 ~' A2 B: L% Z) e

8 r1 m3 A: r: U) ^- \9 i$ Q淺見，歡迎拍塼！
作者: bobobelieve    時間: 2012-2-28 03:27 PM
楼上有爱，又学到东西啦！
作者: spiritpillar    時間: 2012-3-1 07:50 PM
感謝大大這樣熱情分享資訊,
作者: stephen_jjh    時間: 2012-4-13 12:25 PM
大家都是不明真相的围观群众啊
作者: liu.leon    時間: 2012-4-13 02:41 PM
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