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標題: mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？ [打印本頁]
作者: lion小海    時間: 2011-8-22 09:43 PM
標題: mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？
mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？麻烦大虾们解释下。。
作者: lion小海    時間: 2011-8-26 10:35 AM
这上面人很少呀？没人发表下意见、、
作者: andrewxj    時間: 2011-8-30 03:54 PM
http://bbs.innoing.com/thread-11820810-1-2.html   在本论坛有这方面的帖子,你可以看看去
作者: lion小海    時間: 2011-8-31 09:21 AM
回復 3# andrewxj 2 p( e% q/ j. x7 \1 G- E: D% d

8 g5 X& T. z, E% E3 O; I7 I7 l& Y
    谢谢。。。
作者: despair    時間: 2011-10-20 10:28 AM
熟悉ESD也是Layout的基礎。
$ r# q2 W% b- d- ?1 l( O# V9 w& X& X2 o8 E* s6 V2 ~- Y: C
MOS承受ESD的一端必須要能承受ESD大電流的衝擊，所以承受端的R值就很重要* t4 K# G, ^& h
這也是除了會有較大rule以及必須要覆蓋上sillicde block的原因3 f4 P. h$ n1 C9 X" x/ @

" o; O0 w* r4 J, O除了以上必要因素，部分foundry也會根據需也會在Drain再加入低濃度植入
/ E2 x+ |6 M& T2 W7 E6 P讓耐受ESD的效果更好
: k9 t1 L. t4 s; Z5 ]9 a1 F6 B% M4 {/ e# g5 j* o7 L
這是認識ESD的基礎概念，其中還有很多必須要去深讀的3 B- [6 N$ d, ?8 R
有機會大家可以多交流。



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