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標題: bjt 的 layout [打印本頁]
作者: ben13949    時間: 2011-9-15 11:28 AM
標題: bjt 的 layout
請問 PDK 中的 BJT 射極的部份5 t. K/ t2 q' Q- f

+ o+ V; S3 R/ p# o, I% q$ GCT 和 OD有一段距離
, X+ @+ \. \- F% k  Z3 T9 }9 s. Y9 Q# p
留那段距離目的是為甚麼?
作者: ben13949    時間: 2011-9-16 02:22 PM
我再補充一下問題
6 @' w, M( s9 M
7 y3 J6 h: }) }( _  k( F我的意思是射極上的CT 沒有打到最滿
, E' _& n3 E+ ^  r6 N6 S4 r% g+ C  X
離邊緣還可以打上3個左右
作者: m851055    時間: 2011-9-16 10:19 PM
CT是哪一層layer?( m" x# i/ q- Z" N. H0 P
NPN or PNP?
作者: CHIP321    時間: 2011-9-22 09:31 AM
本帖最後由 CHIP321 於 2011-9-22 09:32 AM 編輯 6 i3 U2 I/ T& B  Q. \
+ a; J7 ^/ p' L% G0 \0 V# g  ~
Cont 在CMOS兼容工艺中可能考量的不是太多，因为会在整个区域做saliside等硅化措施。但是如果要严格的说的话，cont的位置，cont的深度及结构本身是会对射级注入效率产生影响的。所以Desgin 需要遵循 DRC Rule，不能随意更改，另外你这里提到的估计应当是纵向管，接触位于射极中心，会减少射极的横向（侧边）注入，在不变更三层结结构，尺寸下，能额外提升发射极效率。很多BiCmos中会使用一个Contact来做射极连接。其他寄生还会有些利弊影响，可能不是主要考量因素。这是我暂时能想到的，供LZ参考，不当处请批判指正。



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