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標題: 關於mos source/drain contact 的數量 [打印本頁]

作者: sunwely    時間: 2011-11-4 10:32 AM
標題: 關於mos source/drain contact 的數量
關於analog cmos layout source/drain contact 的數量有必要全部打滿嗎?3 _2 Q) I- L( @& e4 y+ g
有時會遇到無線可跳的情形,所以直接把 mos source/drain contact 挖掉用來走線.
$ }! {8 Q3 O% G& ?例如 ABBA 對稱的mos 直接把中間BB的contact/metal 挖掉,然後挖掉的空間拿來直接連兩邊AA的drain 端.# k. e& X2 K' L2 v- J
也就是不跳Metal2 ,直接跨過BB的mos 用metal1 連接.- ?, D5 C" h( \/ ^
有人會這樣做嗎? 還是全部都用metal跳線? 而不會挖掉mos source/drain contact ?
0 {. d7 |  N$ F: E% [3 w1 C另外如果挖掉某部份的contact 除了造成 mos 電流走向不平均外還會有其他影響嗎?
作者: motofatfat    時間: 2011-11-4 02:21 PM
原則上是 能有多少 就多少
/ I- {' J1 v& Y; I8 N; t有時候有些考慮 用幾層 metal  也是考慮因素" ?1 U! ]! k$ @, F8 }% x% Y
ABBA 是要對稱的 ,cont 也在對稱的項目之中
作者: MTK1019    時間: 2011-11-18 03:11 AM
1,contect 孔多可以减小接触电阻,每个孔的电阻为2-3Ω。孔越多电阻越小
3 Z9 K5 \. Q* d  K. G  f2,严格的MOS匹配,连线都要一致,不匹配的连线有可能引起1%的失配+ S9 ]( F: |- ^: Y& b  V
3,模拟版图导线跨栅是大忌,寄生效应是我们不可预测的。




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