Chip123 科技應用創新平台
標題:
關於mos source/drain contact 的數量
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作者:
sunwely
時間:
2011-11-4 10:32 AM
標題:
關於mos source/drain contact 的數量
關於analog cmos layout source/drain contact 的數量有必要全部打滿嗎?
3 _2 Q) I- L( @& e4 y+ g
有時會遇到無線可跳的情形,所以直接把 mos source/drain contact 挖掉用來走線.
$ }! {8 Q3 O% G& ?
例如 ABBA 對稱的mos 直接把中間BB的contact/metal 挖掉,然後挖掉的空間拿來直接連兩邊AA的drain 端.
# k. e& X2 K' L2 v- J
也就是不跳Metal2 ,直接跨過BB的mos 用metal1 連接.
- ?, D5 C" h( \/ ^
有人會這樣做嗎? 還是全部都用metal跳線? 而不會挖掉mos source/drain contact ?
0 {. d7 | N$ F: E% [3 w1 C
另外如果挖掉某部份的contact 除了造成 mos 電流走向不平均外還會有其他影響嗎?
作者:
motofatfat
時間:
2011-11-4 02:21 PM
原則上是 能有多少 就多少
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有時候有些考慮 用幾層 metal 也是考慮因素
" ?1 U! ]! k$ @, F8 }% x% Y
ABBA 是要對稱的 ,cont 也在對稱的項目之中
作者:
MTK1019
時間:
2011-11-18 03:11 AM
1,contect 孔多可以减小接触电阻,每个孔的电阻为2-3Ω。孔越多电阻越小
3 Z9 K5 \. Q* d K. G f
2,严格的MOS匹配,连线都要一致,不匹配的连线有可能引起1%的失配
+ S9 ]( F: |- ^: Y& b V
3,模拟版图导线跨栅是大忌,寄生效应是我们不可预测的。
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