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標題: 恩智浦應用文章分享：低壓超結功率MOSFET，一種應用優化技術 [打印本頁]

作者: NethanPeng 時間: 2011-11-14 11:58 AM
標題: 恩智浦應用文章分享：低壓超結功率MOSFET，一種應用優化技術
本文對同步直流-直流轉換器的功耗機制進行了詳細的分析，以確定需要改進的關鍵MOSFET參數，進而確保可不斷提升系統效率和功率密度。分析顯示，在開發功率MOSFET技術的過程中，常用的QG和QGD品質因數（FOM）（即RDS(on)×QG和RDS(on)×QGD等）已無法滿足需要；如果持續使用，可能並不是個最優技術的選擇。根據分析顯示，人們已經定義了一套用於新的低壓功率MOSFET技術開發的FOM。由此産生的30V技術以超結理念爲基礎，是直流-直流轉換器的理想選擇；與橫向溝槽和分裂栅極溝槽MOSFET等競爭技術相比，該技術可同時提供低特定 RDS(on)、QG、QGD、QOSS和高栅極回跳抗度。
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