Chip123 科技應用創新平台
標題:
<转>避免Antena该往上还是往下跳线
[打印本頁]
作者:
jeffcui18
時間:
2011-11-29 11:49 PM
標題:
<转>避免Antena该往上还是往下跳线
<转自sinovale dot com>关于天线效应我在<浅析集成电路中闩锁效应和天线效应>一文中有提到过。天线效应的产生粗略的讲就是金属表面积累的电荷过多，但又无法形成对地的放电通路，结果很有可能是对栅氧造成破坏。由于现代工艺尺寸越来越先进，沟道长度越来越小，antena的问题就越来越受重视。通常，我们通过金属跳线或者在poly-gate旁边放置足够面积的diode可以避免天线效应的发生。但是金属该往上跳还是往下跳呢？
+ B$ R$ \, k/ J- h P
7 @) x6 D0 h$ ]) |# P! h
Process
' b* W$ E9 O6 d8 p5 Q+ f8 E
5 O! n7 g J7 e) F
我们都知道fab在做mask的时候是从低层往高层做的。process在每一道工序都有诸如平坦化，隔离等，之后肯定会有静电泄放的操作。从这个角度来说，假如metal3过大有antena的问题，我们用metal4对其跳线。在做metal3的mask时，metal3实际上分开的，只有做到metal4的时候他们才会连起来，而到metal4时，metal3的表面电荷已经由于工艺过程减少很多了；而如果用metal2对其跳线，在做metal3时，metal2和metal3是会相连的，并没有起到减少电荷的作用。
1 p/ y) V( d) Q) i0 W1 P
( N4 x5 ]5 R3 n4 q0 C7 s
栅氧漏电，尽管对功耗不利，但对天线效应是有利的。栅氧漏电可以防止电荷积累达到击穿。所以，实际上可以看到薄的栅氧较厚栅氧不易发生损坏，因为当栅氧变薄，漏电是指数上升的，而击穿电压是线性下降的。
/ s( [! ]; {' Z2 e
8 P7 {8 h3 t: H- R3 C
我常用的三个避免antena的方法
5 o* B6 B' q9 _* }2 p, ^) K. }8 E
" q$ g) A1 a4 s, ?! _
1，跳线，而且最好是往上跳线
* W5 B& H7 W. t
" l# g1 F$ n1 L! ]
2，增加NAC diode
' j5 |( s+ }8 g7 a- x
) k+ Q: v* T$ E! p
3，在信号线上加一组buffer，这个方法既可以规避antena，也可以为signal增加驱动
, |0 C5 b ^7 G% Q5 [
' N. _9 f5 \) W7 P
DRC
* I6 A# \+ S! d1 P+ S9 ^
) i9 r; m; P* o* b( }; F: W
一般来说command file会定义检查是否antena metal连到gate-poly上，还有是否面积过大。解决方法我建议是在靠近gate-poly的地方断开metal用高层metal跳一下，当然这在drc中可能不太好查，所以drc一般规定在发生antena的metal上有一个N-diode（最好是close to gate）。
. R( t) p8 F0 R) a( D
0 C( x1 I, o& J% E) r
<转自sinovale dot com>第一次发帖请大家海涵。
作者:
MTK1019
時間:
2011-12-5 01:56 PM
1.天线效应收集的电荷，要通过有源区泄放掉。必须是向上跳 向下跳无任何作用。只要跳上一层金属就可以。至于为什么你要去了解下工艺流程。金属是先溅射一片，然后刻蚀。
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://free.vireal.world/chip123_website/innoingbbs/)
Powered by Discuz! X3.2