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標題:
如何選擇ESD Device Contact Type？
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作者:
CHIP321
時間:
2011-12-29 05:10 PM
標題:
如何選擇ESD Device Contact Type？
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯
( b0 a5 w8 s( i* T$ c1 S9 z, s: L2 Z
/ d+ e1 C! j' t
[attach]15181[/attach]
/ ~4 o! G8 O* M, [9 e
近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。
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查找了過去的一些Bipolar高壓片，發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring，貌似應當有不錯的均勻性。
3 h, w! M/ @3 d
但是咨詢了一些同仁，認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、
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迷惑中....
0 s6 v& j, ]) M$ g M: w" _
如果不考慮CMP製程限制，那種方法更有效些呢？
4 o5 B% p$ G4 `8 |
8 C' Z5 `) Y% z) l S9 N
作者:
sendow
時間:
2012-1-31 11:31 AM
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?
7 d9 ]: Y3 Q4 J" \6 w
6 i) Z5 S0 g6 W. h6 g
個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,
3 N: ]5 [% ^/ W5 J2 B6 }
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,
* D, z; `- h( D# U* O
有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
8 [8 ^) h/ [8 h1 z' q
這也是現實上要考量的.
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一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe
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不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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