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標題: 弱反轉區、BJT之LAYOUT [打印本頁]
作者: YuanII    時間: 2012-6-26 03:53 PM
標題: 弱反轉區、BJT之LAYOUT
各位大大您們好:
+ ?4 ^+ {/ P( y+ h: j2 x      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
; I) @: M% Z, ^" {- w7 G    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
* `4 E9 _  W4 d/ V, a: c    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，, F$ S- @8 p% K8 S" C0 h) c: w
    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，4 r, g# y. A) }* P! O, }
    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
$ _6 y/ V' c$ i5 k  {" f5 l    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??$ y5 o: b* q. Z* ?, z5 v' g

- K" V7 a0 f$ w) s; Y2 ~& Y, m& E      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，5 d5 F6 D( N7 e: b9 I
    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
! n& T6 y2 K+ t( F0 b    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
* S' G7 o! O: ~1 m( G      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??& b: C. n- L- L0 I8 ~1 c5 |$ t1 k
6 j# @" W5 ^6 m) N( ~
      請各位好心人給意見^^謝謝
作者: billlin    時間: 2012-6-27 09:29 AM
想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
9 W# p* ?- u6 O5 u8 p  \o代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積9 M8 B5 b9 L; R" \7 @
o  X  o  X  o
3 S6 I# r1 u- ^  A7 I6 d  ^X  X  o  o  X! e& }. i& A3 n5 Q* D
o  o W o  o
: V. Q; U& C% h. ]1 S- J+ s1 AX o  o  X  X. \( Q% Y5 n/ O
o X  o  X  o
作者: billlin    時間: 2012-6-27 09:34 AM
weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1); M3 @9 s" ]. W6 Q: ~+ r6 T1 L
strong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
  P: \4 z$ |( Q5 W# ?所以直由公式直觀的算,% ?3 d. B. [$ ~4 _* b* N) v
假設gate driver = 0.2V ..
0 l% J. A- O) U! M+ o6 y要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電
作者: YuanII    時間: 2012-7-18 08:48 PM
謝謝大大的回覆@@
) p* I) }1 e% a$ p! W" R! o小弟大概知道意思，5 }1 ^) ~2 }" h+ u
謝謝。



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