Chip123 科技應用創新平台
標題:
弱反轉區、BJT之LAYOUT
[打印本頁]
作者:
YuanII
時間:
2012-6-26 03:53 PM
標題:
弱反轉區、BJT之LAYOUT
各位大大您們好:
5 n0 Z$ F' u* J$ r
小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
5 i0 \6 N ] U( n+ f- Q" z9 s
都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
' a2 @+ j+ o, K: c! R- d2 J
這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
) p, X) ?+ J5 w! f
但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
8 ] o4 f; H: Z) W
翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
/ Q* Y$ j% S: n% ^) |/ i
既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??
* {3 Y- Y2 @/ x# `
_' V9 I/ M, L
另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
; f0 I0 O# b6 B$ k" w4 P$ G
大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
5 x& `( W; g' \# a+ @& X5 G
但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
$ t) ^7 R! u! y4 u* O7 e: t
小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??
q5 K: X N9 @+ P' V, Y' z
; s$ G* |! m# D, @5 |# [- }
請各位好心人給意見^^謝謝
作者:
billlin
時間:
2012-6-27 09:29 AM
想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
7 p b" X: M* l4 k7 T5 R
o代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
6 ?4 H+ ^' E" e6 _
o X o X o
: |4 H9 n" q# F w9 k! d8 Y
X X o o X
: @. O: W; N5 ?
o o W o o
; N8 G3 [ K' |
X o o X X
O& K0 C7 i1 d p) L& e8 N
o X o X o
作者:
billlin
時間:
2012-6-27 09:34 AM
weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV -->(1)
( l# G6 Q! b8 z- O; ^ g. a$ M
strong inversion gm=2I/(gate driver) -->(2)
2 y, w4 c: v8 O. N% z5 v+ G
所以直由公式直觀的算,
- u) A: b% U' Y0 y2 A1 L
假設gate driver = 0.2V ..
5 M9 Q5 K, ?" I" X [( |
要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電
作者:
YuanII
時間:
2012-7-18 08:48 PM
謝謝大大的回覆@@
" A* y3 X g. w. T
小弟大概知道意思，
3 R& n( f! @- V1 [! F
謝謝。
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://free.vireal.world/chip123_website/innoingbbs/)
Powered by Discuz! X3.2