標題: 弱反轉區、BJT之LAYOUT [打印本頁] 作者: YuanII 時間: 2012-6-26 03:53 PM 標題: 弱反轉區、BJT之LAYOUT 各位大大您們好: 8 i+ {: Q+ {0 Z 小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗， , k6 G9 F) M" N, w* D: k 都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，( }7 Z- f: y) R, H: E1 G
這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，1 o" v7 w* p8 k# f
但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大， q9 V d0 Q T5 _1 }# O 翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT. P" F- v! R" m% |: s, R' j
既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑?? ! \4 ^7 L, P8 N* Z8 m! e; b3 R! `9 A* J! O
另外一個問題，看了一些Bandgap的設計， . k: O8 H2 r8 i9 w: A0 t 大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格， 8 q& ?8 Y+ [" B 但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，( i$ b ?! V, O/ Y
小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??0 J/ @7 o) z8 z3 q% j
5 i. U) u4 y& |9 `) v 請各位好心人給意見^^謝謝作者: billlin 時間: 2012-6-27 09:29 AM
想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error: 2 b" v" } P) X) z: ^% |o代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積 2 r$ J+ G) o3 n% A% k. Lo X o X o$ I2 W1 s$ Z) I |$ h3 R4 X
X X o o X 5 B$ q. D1 X. w) N6 A& ~7 No o W o o; n- t. ~' C6 t: ?% L8 `7 L
X o o X X / S8 z! ^2 I7 eo X o X o作者: billlin 時間: 2012-6-27 09:34 AM
weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV -->(1) # M) b, e' V# R& ystrong inversion gm=2I/(gate driver) -->(2)* r2 f5 N( S; X% a5 h9 }
所以直由公式直觀的算,$ F3 M$ `2 _3 `8 x# C" \2 Q- U4 A
假設gate driver = 0.2V .. 9 s0 m6 I' j0 y7 ?要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電作者: YuanII 時間: 2012-7-18 08:48 PM
謝謝大大的回覆@@. F w; n8 z& n" P5 u0 F* b2 {
小弟大概知道意思，2 {5 [: |/ d' n" ]% S/ ?
謝謝。