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標題: 宜特搶進 3D IC檢測 [打印本頁]
作者: ramb    時間: 2013-5-22 03:21 PM
標題: 宜特搶進 3D IC檢測
電子產品驗證服務商宜特（3289）與子公司上海宜碩，獲選進入IEEE等級、半導體故障分析領域的集成電路失效分析論壇IPFA 2013發表研究成果。宜特此次將以IC質量為主軸，分別探討「3DIC微凸塊失效觀察」、「IC電磁輻射消除」、「EOS 脈衝波過電保護」等三方面的檢測能力，並將屆此搶進3D IC檢測市場。
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/ }( L+ _' s( Q) @在3DIC 方面，宜特研究出兩種克服的方式，其一是利用研磨技術將3D IC微凸塊（u-bump）失效區域定位，並搭配聚焦離子束顯微鏡（FIB），將其失效微凸塊切削進行斷面觀察；其二是擴大可觀察的微凸塊範圍，從100um提升至3000um，此兩項技術亦可使用在3D IC的直通矽晶穿孔（TSV）結構觀察。3 y8 v1 _' L6 D* I8 c- a
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在IC電磁輻射消除的研究上，宜特藉由傳統與專利研發的新型FIB搭配，將任意電容值的電容放置於IC晶片上，並與IC內部的訊號節點作連結。藉此方法，客戶不需重新投片，即可找到電磁輻射源頭並加以消除，提供IC設計者一種CP值極高的IC EMI解決方案。
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在EOS 脈衝波過電保護部份，宜特藉由脈衝波模擬不同製程的IC上電，從其產生的過度電性應力（EOS）機制進行研究，在這當中，發現EOS耐受能力與脈衝時間存在「線性關係」，同時也發現IC製程本身閘氧崩潰與電壓有關。從此測試，亦可提供客戶簡易方式，來對元件進行抗受力測試，亦可對於元件過電保護，提供一個有效參考指標。



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