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標題: MOS的finger和mutiplier [打印本頁]

作者: billcheng    時間: 2014-6-27 09:22 PM
標題: MOS的finger和mutiplier
請問各位老大2 O* A0 d7 t# g; G+ n0 L

. {+ W' v' G0 ?, e若應用在LDO的powerMOS8 O( l$ d7 {% j/ _" Z4 ?# f
1 E$ s  J3 E; V' a3 x
使用MOS的finger和multiplier 有什麼差別(我只知道finger 較省面積,寄生電容較小)
* m4 }  j; ?9 j+ F  J! g9 G
, v( O0 e9 q% p% Y6 _0 s+ f2 a例如電流會不穩嗎?? 或是會有漏電流....等情況" l# Q2 ^- Y9 C; x* C0 T7 p1 e
! P/ T2 p, G. \+ r  p1 r
若用finger,那選MOS的width 和length有什麼特別需要注意的??
/ {" h* I! L1 m( S" }" Z
! m9 U1 }7 w: x例如L不能用太小,W不能用超大 ??
5 a: b' h4 B2 y6 V& }
  ?0 |, J% o, R* y0 l4 j謝謝大家
作者: jackrabbit    時間: 2014-7-30 06:30 PM
finger 跟 multiplier 的差別+ L# H6 H7 ]; N9 Q5 T; C
前者是 S/D 共用, 後者是unit mos 然後duplicate4 t  @! v0 [7 j, T% T; ]
如果很強調matching就會用multiplier
8 C( _% [/ e, sfinger的好處就如你說的沒錯9 d8 J3 @& q$ t0 X) q- {* p: h9 e
' @' o9 G6 J7 B7 j4 w/ ~1 q
至於當LDO的power mos
7 f9 z0 c0 u9 Q, \. U- X6 P7 ~# H因為size很大, 反而需要考慮的是device issue# S2 A, A) s! P, h% N% G2 ]
像latch-up, ESD, over-stress, 這些layout上都有技巧~+ S$ {3 F8 r1 ^, U6 W
如果有over-stress的考量(需要把device 操作>Vds耐壓條件), L 不建議用minimum值' R" ]; J5 z0 _$ P8 T* |' A
至於W, 長度不可以太大, 主要是怕ESD時 turn-on不完全
" w6 G- G' H$ u5 P7 Y" }5 Q: C另外, S/D 拉寬, cont/via 打滿, 降低接線造成的寄生阻值0 @9 r6 ?( \; I) [1 C' W& u
諸如此類~
作者: finster    時間: 2014-10-5 08:53 AM
補充一些:7 a8 y! J& a# p6 |* c6 ~) f
一般來說,LDO的輸出會出PAD,故而LDO Power MOS要遵守ESD fule,所以L不會是minimum length
2 X" J& N1 N. l9 q而是minimum length + (0.1um ~ 0.2um)左右不等1 n, n& D$ i8 J) y' l3 ?0 |: ~) d, ?
至於Width, 也通常不會太短,至少都是大於15um以上,小於約40um以下左右不等,會有這個限制其實也是因為ESD performance的緣故
$ z) U+ ]  O/ r; z( u( U且在Layout畫法上,需遵守ESD rule來畫,在Drain or Source端需加特別留意,加寬pick-up藉以拉遠Power MOS和相鄰不同type device,避免latch-up
作者: empatheia    時間: 2014-12-11 12:46 PM
回復 3# finster
9 ?, z- v. A2 W9 Z3 ]8 \# r
2 \/ x$ k3 X  ^: O- y. c! c真精闢,謝謝版主的見解與分享
作者: ninja0925    時間: 2014-12-12 10:24 AM
說得很詳細的一篇
! Z$ ]' \. F% w
4 d4 t  O1 ?. |' r( e8 n$ U) ~2 Y1 a% G謝謝分享
作者: e100292002    時間: 2015-8-27 01:02 AM
感謝版主的回覆仔細 收穫頗多




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