Chip123 科技應用創新平台
標題:
MOS的finger和mutiplier
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作者:
billcheng
時間:
2014-6-27 09:22 PM
標題:
MOS的finger和mutiplier
請問各位老大
2 O* A0 d7 t# g; G+ n0 L
. {+ W' v' G0 ?, e
若應用在LDO的powerMOS
8 O( l$ d7 {% j/ _" Z4 ?# f
1 E$ s J3 E; V' a3 x
使用MOS的finger和multiplier 有什麼差別(我只知道finger 較省面積,寄生電容較小)
* m4 } j; ?9 j+ F J! g9 G
, v( O0 e9 q% p% Y6 _0 s+ f2 a
例如電流會不穩嗎?? 或是會有漏電流....等情況
" l# Q2 ^- Y9 C; x* C0 T7 p1 e
! P/ T2 p, G. \+ r p1 r
若用finger,那選MOS的width 和length有什麼特別需要注意的??
/ {" h* I! L1 m( S" }" Z
! m9 U1 }7 w: x
例如L不能用太小,W不能用超大 ??
5 a: b' h4 B2 y6 V& }
?0 |, J% o, R* y0 l4 j
謝謝大家
作者:
jackrabbit
時間:
2014-7-30 06:30 PM
finger 跟 multiplier 的差別
+ L# H6 H7 ]; N9 Q5 T; C
前者是 S/D 共用, 後者是unit mos 然後duplicate
4 t @! v0 [7 j, T% T; ]
如果很強調matching就會用multiplier
8 C( _% [/ e, s
finger的好處就如你說的沒錯
9 d8 J3 @& q$ t0 X) q- {* p: h9 e
' @' o9 G6 J7 B7 j4 w/ ~1 q
至於當LDO的power mos
7 f9 z0 c0 u9 Q, \. U- X6 P7 ~# H
因為size很大, 反而需要考慮的是device issue
# S2 A, A) s! P, h% N% G2 ]
像latch-up, ESD, over-stress, 這些layout上都有技巧~
+ S$ {3 F8 r1 ^, U6 W
如果有over-stress的考量(需要把device 操作>Vds耐壓條件), L 不建議用minimum值
' R" ]; J5 z0 _$ P8 T* |' A
至於W, 長度不可以太大, 主要是怕ESD時 turn-on不完全
" w6 G- G' H$ u5 P7 Y" }5 Q: C
另外, S/D 拉寬, cont/via 打滿, 降低接線造成的寄生阻值
0 @9 r6 ?( \; I) [1 C' W& u
諸如此類~
作者:
finster
時間:
2014-10-5 08:53 AM
補充一些:
7 a8 y! J& a# p6 |* c6 ~) f
一般來說,LDO的輸出會出PAD,故而LDO Power MOS要遵守ESD fule,所以L不會是minimum length
2 X" J& N1 N. l9 q
而是minimum length + (0.1um ~ 0.2um)左右不等
1 n, n& D$ i8 J) y' l3 ?0 |: ~) d, ?
至於Width, 也通常不會太短,至少都是大於15um以上,小於約40um以下左右不等,會有這個限制其實也是因為ESD performance的緣故
$ z) U+ ] O/ r; z( u( U
且在Layout畫法上,需遵守ESD rule來畫,在Drain or Source端需加特別留意,加寬pick-up藉以拉遠Power MOS和相鄰不同type device,避免latch-up
作者:
empatheia
時間:
2014-12-11 12:46 PM
回復
3#
finster
9 ?, z- v. A2 W9 Z3 ]8 \# r
2 \/ x$ k3 X ^: O- y. c! c
真精闢,謝謝版主的見解與分享
作者:
ninja0925
時間:
2014-12-12 10:24 AM
說得很詳細的一篇
! Z$ ]' \. F% w
4 d4 t O1 ?. |' r( e8 n$ U) ~2 Y1 a% G
謝謝分享
作者:
e100292002
時間:
2015-8-27 01:02 AM
感謝版主的回覆仔細 收穫頗多
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://free.vireal.world/chip123_website/innoingbbs/)
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