Chip123 科技應用創新平台
標題:
MOS DUMMY大小
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作者:
s055661
時間:
2020-10-26 10:48 AM
標題:
MOS DUMMY大小
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻
3 y! p0 i; x% l
所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢
5 |3 @$ E+ c* F
有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~
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! b" U; C9 D6 M1 R9 R; _3 h6 O+ }
作者:
tony9211
時間:
2020-10-28 01:20 AM
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的
8 I; P* W" A5 g- }% c2 D: v
你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧
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作者:
joe1102
時間:
2020-10-28 10:03 AM
補充，Stress spacing 也是考量之一，
3 Z+ H1 g6 T1 S* V/ B8 U& }! B
! `3 i# g7 L, A# [3 \; U6 r: Y8 X
至於說要怎麼設計？
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; U$ p4 R- n# ^4 [. b/ m2 V8 g! W
通常layout的作法，會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy
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3 g" C" }1 G% n: c4 x9 d
S/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計，G接地即可
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$ J# h/ m5 U$ @. U# }
至於dummy加的量以designer為主，至於加多少量參考經驗值作為依據，每個製程被要求的dummy距離不一，
作者:
huangleelung
時間:
2021-6-23 06:06 PM
詢問有經驗的人，或直接請你的designer跟你說
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不同製程，情況都不同，所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃
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但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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