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標題:
電容的比較
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作者:
yhchang
時間:
2008-2-19 10:17 PM
標題:
電容的比較
※ 引述《angle的大作》發表於 【2002-12-13 17:52:47】
$ F0 ~" d; Y! u; W0 ~7 W$ G
5 l9 n/ k9 ~: v4 t7 z
請問各位前輩:
& d) k8 P- `3 y. L5 c% k" b. Y) J+ U
在IC LAYOUT 中,三明治電容和Metal1+Metal2所Lay成的電容,那個準確度比較高。為什麼?
; u2 B8 X/ g$ J# T+ c5 q/ n
因為就我知道是三明治電容的準確度較好,但是我不知道它好在那裡?
作者:
yhchang
時間:
2008-2-19 10:18 PM
' [$ E, L' ^; s Z) t/ ?# y
呵呵呵~
; C2 j2 _- J' M* S+ P
三明治指的是poly+metal1+metal2還是metal1+metal2+metal3或是...
8 g' Y) N+ r4 \6 W9 p
以"精準度"而言,當然是使用metal1+metal2會較好(若不能用double poly的話),
( y) u+ u: X: B% |& S7 @# i4 u
原因有很多:像是
! F& r$ x) H* |1 e
/ k0 j7 j! Q6 h9 o% K
(1)三層的邊際電容(雜散)比兩層多.
$ O/ z5 G4 h- Y4 Y' P7 J$ ^
(2)三層的層與層之間的距離誤差多一個.
4 n9 h8 a" q9 W* h, `
(3)poly與metal的材料原質不同,衍生的電荷與電場也會不同.
* J8 ?3 F& o1 K, ?" o8 u# Z
(4)用了poly當底層,對substrate的電容...嘿嘿嘿.
4 E1 G# p9 @8 D" N" f
(5)metal1+metal2可以拿poly來shielding.
$ {$ ^, y Q; _) ?" q; f! [, j3 e
(6)三層,再加上poly,以相同的layout能力而言,造成的RC一定較高.
) B/ X$ p9 T$ |, _1 J) ]# _
9 N/ Q* W5 E: w4 Y" P0 |) T8 k
不過metal1+metal2的單位電容值很小,對了,上面的第(4)點,
* Q2 c- ?( _; |# X! @
也可以用well來shielding,只要是lay被動元件,都要特別注意shielding,
0 Y3 j: A1 t9 ~ }$ z
well是很好用的shielding layer; 如果想要大一點的電容,
* a6 \' h, J$ y" K; L
建議是用poly+diffusion layer(與一般穩壓的MOS電容不同喔),
( B( Z0 O4 V3 s$ Y( {" p' k: Q
基本上也不會不準到那裡去.
# e. ~0 I0 i' s2 d7 `0 k5 f
. q8 [& a" Q0 P4 C+ K: \$ g. J
作者:
yhchang
時間:
2008-2-19 10:19 PM
Re : 電容的比較
! z* W9 a1 y( I; Z; b, o! d
那想請問一下 MIM 電容的準確度如何?
作者:
yhchang
時間:
2008-2-19 10:20 PM
您指的是 metal-insulation(SiO2)-metal的電容嗎?
4 t/ i: d8 P! W/ B. Q# l
基本上這是最基本的雙層板電容,若layout的好的話,
- Y& p5 Y% @" [0 g; X2 O" n
電容值比較能掌握,目前的製程在metal的L,W及oxide的厚度上
( v3 t: `* j7 @6 ~$ d! _9 q3 ~( y
都不錯了,也就是關係到電容值的變數其誤差都不會很大,
" s+ A5 e# z; t* q# E4 s
只要能注意到雜散電容的問題,我想是可以做的蠻準的.
- @/ I8 H. s9 s, J- [) a- `' E4 I
但再怎麼準,有個30%以上的誤差在你的設計上仍是必須是要可以接受的);
' G) g& v! v+ D
不過MIM的電容值每個square實在是很小,說實在的,不見的很實用~
" ^5 \8 I1 G1 H1 f% \
4 `# m/ l: w, g) m
[
本帖最後由 yhchang 於 2008-2-19 10:22 PM 編輯
]
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