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標題:
用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程
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作者:
jeffrey
時間:
2008-3-7 04:26 PM
標題:
用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程
Dear 先進們,
s3 J3 F* n8 {; v" N
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
3 ?' y* L1 V; E$ h! d; r( z
因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
) G: s. m. T1 g2 }2 Q
8 U& s' x! Z) q$ h5 w7 M
感謝各位的幫忙.
作者:
qpau
時間:
2008-3-8 09:37 PM
MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
$ L/ e- Q0 p) Q4 I
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
" [8 o' X" |9 b. e2 q
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
( I( D( V) {+ q
可用軟體模擬出C-V曲線,
: c( U+ ~( e$ s5 B0 E, S# N
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
4 \9 a" Z3 r: Z' A9 t8 f
也就是長在NWELL裡的NMOS,
& L, ]7 i0 F: Z# X
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
9 Z/ U; h( n [) Z
使用這種元件並不需要多加光罩,
1 F' N( G. ^: t- A. S4 k/ {7 o
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件
作者:
tommywgt
時間:
2008-3-11 12:09 PM
我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
/ D% p' G: O- H& ]
9 O4 K% }; J* F! y5 ~
哪位大大可以補充一下下?
作者:
st80069
時間:
2008-9-1 06:02 PM
我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
$ p) j4 S( K3 E2 ~# Q. r. _
.option dccap post
- l; ^- |- V% B
.print CGG=LX18(mn1)
, y& Z2 m& }5 [3 i/ k
.dc vin 0 5 0.1
D; t6 B4 J) I
....
% {1 G+ R0 Q* D$ E3 Y0 U) J
.....
- q. p( T+ C* Z6 Q0 V$ F0 Q
.......
2 k b [0 J3 Q
.end
# {7 O2 O& W$ [+ w4 n) }
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
% a" G- v- C2 R9 `8 o0 q' G
如有錯誤，請大大們指教~~~
1 p n# p! {+ T, [ S
9 S5 d. O+ d) u' q" ^( j6 x% ]
對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
6 S6 Q, o6 }1 j% C3 h
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
5 H0 ^) c! Z8 z
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???
作者:
小緯仔
時間:
2008-9-17 04:10 PM
回樓上的大大，MOS電容是非線性電容
5 b' v2 p/ W# }: r$ n0 W) h
! ?/ t5 N* i- _ O" ~
比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值
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