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標題: 請問一下mos的臨界電壓vt? [打印本頁]
作者: andywu    時間: 2008-3-24 02:25 PM
標題: 請問一下mos的臨界電壓vt?
通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve$ L' o; v) S, O3 [+ d5 d- b" {' T, E  u5 a1 d
' O0 d- I9 \3 ~' A
但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值
: K  v' U. k1 @8 h# j! M) C4 F: j$ q# h: p& @# o3 L
供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化
& \, }! z" ]9 d, U" K" B) l* S  {, y* O
這樣的話大家是怎決定的
作者: andywu    時間: 2008-3-24 03:42 PM
對了尤其是PMOS,飄移更多
0 ?, I5 G/ ~& b* ~, D% R% r9 d
# d0 |4 O, E: w4 i: j' a4 cNMOS還在0.75左右5 `$ h" F: b0 Y4 V& E0 d

" |4 L7 T& z: c# D( K* [% G
作者: monkeybad    時間: 2008-3-25 10:22 AM
對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動
$ H0 |2 Z% w4 k  F最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U
4 o# ^" |3 g  d( R- f3 d9 v這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同
+ C7 j$ k2 _4 |7 k9 e" M! O所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應
. N; d# A% i# t  i: _0 L; X課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣5 f- l; Y9 a2 }7 w. f( L
一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常
作者: gimayon    時間: 2008-3-29 02:21 AM
不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...
作者: ssupinma    時間: 2008-3-29 04:02 PM
在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同
5 c0 J/ K& {; [& x( a/ @/ f7 S氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt+ n; N# }6 h9 h+ i& x2 F0 _
從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能8 G1 j0 z. X# l$ g( s! r

4 l9 t- K* r' j) H5 G, i9 Z1 O查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth
作者: andywu    時間: 2008-4-2 04:07 PM
因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦+ y: [, A! J6 D7 u1 `' _

3 H- z" E$ H/ O) f1 `3 Kmodel file要看哪一項目呢?
作者: alab307    時間: 2008-4-3 06:49 PM
Vt 沒有一定的定義
2 u% O1 A7 {0 w而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題
* M7 t+ J" C- H8 k
$ g% [( [2 ^! X" a"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"& F+ |- P1 E! x4 l* A6 R
3.3v 遠大於 0.7V" J  L7 B$ P/ P9 I, r1 t! s
其實不用太Care
" |) c( u0 c5 [1 r5 y& s7 E# c$ M4 V- L  y6 z6 D
VT對你的電路真的那麼重要嗎?
作者: 122013137    時間: 2008-4-8 10:23 AM
標題: ~
所以说模拟电路是感性的~~
作者: liangshangquan    時間: 2008-4-11 03:28 PM
因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變，design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響
作者: k9966809    時間: 2015-12-24 07:46 PM
7 B% ~& Q9 `, }, l$ z$ j' B0 C$ G
感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~
作者: engineer    時間: 2015-12-24 09:51 PM
VTH本來就是一個變數，不是嗎？



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