Chip123 科技應用創新平台
標題:
請問一下mos的臨界電壓vt?
[打印本頁]
作者:
andywu
時間:
2008-3-24 02:25 PM
標題:
請問一下mos的臨界電壓vt?
通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve
* w& S$ Q5 ~6 ~
* J) {0 {8 }4 q# W; v. R
但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值
; I7 g! j. G: u+ U& x* A8 p, M1 d
7 u" U6 d8 w$ K. f' ^
供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化
: H6 z1 E, Y! k& F2 e
3 N$ x! O/ H; z' m( J& \7 J
這樣的話大家是怎決定的
作者:
andywu
時間:
2008-3-24 03:42 PM
對了尤其是PMOS,飄移更多
0 w2 I& Z. c. k7 h/ Q
. N' S8 k" u3 E9 U7 S
NMOS還在0.75左右
5 K* ]3 Z* p2 r- {8 s" D
2 }8 l+ x; c: K4 u% B$ g
作者:
monkeybad
時間:
2008-3-25 10:22 AM
對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動
0 J8 X& K- O0 r7 H" n
最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U
. i- k+ v3 N0 F
這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同
: M5 K# q0 B) w$ m& l6 F
所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應
2 B0 ~1 g" ~) k; k; k; b
課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣
) o: a8 `, t+ j* r- o( O7 k% S/ m7 f2 Y
一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常
作者:
gimayon
時間:
2008-3-29 02:21 AM
不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...
作者:
ssupinma
時間:
2008-3-29 04:02 PM
在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同
3 Y# i. Z- R3 l* x, K; |
氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt
# l/ L% w% ~. l
從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能
' h$ \* y1 ~) W. c
) X/ r! `3 o# z
查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth
作者:
andywu
時間:
2008-4-2 04:07 PM
因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦
9 \& s: u8 a7 h- Z0 ^) S
1 G1 C- a6 \) R9 [
model file要看哪一項目呢?
作者:
alab307
時間:
2008-4-3 06:49 PM
Vt 沒有一定的定義
! E4 B# I; L( ^, N
而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題
5 x3 q, i% ?3 H7 D8 w7 g
: a6 z2 P7 O2 D9 ^$ J
"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"
+ z8 O) z Z* \; Q5 X/ j+ h
3.3v 遠大於 0.7V
9 l6 ^; I1 O5 s0 @8 }$ ~
其實不用太Care
3 Z% U1 @6 G A- e/ J
, A) E# k) [% L4 h& u; n5 c8 O0 q _6 E
VT對你的電路真的那麼重要嗎?
作者:
122013137
時間:
2008-4-8 10:23 AM
標題:
~
所以说模拟电路是感性的~~
作者:
liangshangquan
時間:
2008-4-11 03:28 PM
因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變，design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響
作者:
k9966809
時間:
2015-12-24 07:46 PM
% i$ C0 G; D7 V7 _6 r
感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~
作者:
engineer
時間:
2015-12-24 09:51 PM
VTH本來就是一個變數，不是嗎？
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://free.vireal.world/chip123_website/innoingbbs/)
Powered by Discuz! X3.2
