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標題: 群聯支援43奈米晶片6月量產 隨身碟首先導入 [打印本頁]

作者: jiming    時間: 2008-5-6 08:18 AM
標題: 群聯支援43奈米晶片6月量產 隨身碟首先導入
全力支援母公司東芝 SD卡預計3Q量產
1 _0 r; b; ]; S5 I) b' L& W( Q7 U! B& d
7 j1 z3 n  p# Z# t5 K1 O4 _配合母公司東芝(Toshiba)下世代43奈米製程晶片第2季末即將大量產出,群聯支援43奈米製程的控制晶片也將於6月正式量產,預計可支援24bit的ECC(Error Correction Code)功能,為下世代NAND Flash產品作準備;根據初步規劃,群聯預計首批導入43奈米製程的NAND Flash,將是隨身碟產品線,SD卡預計也會在第3季導入43奈米製程。
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NAND Flash大廠的50奈米製程在第1季位居主流地位,目前各廠已逐漸導入下世代製程,包括東芝43奈米製程的NAND Flash即將量產,還有海力士(Hynix)的48奈米、三星(Samsung)的40奈米,以及直接跳到35奈米製程的英特爾(Intel),預計在第2季底到第3季之間,慢慢增加產出。5 Y. p  E, u9 I& r- Z( _

  P7 A( H; r9 H3 s東芝的43奈米製程NAND Flash晶片,預計將於6月大量產出,為了配合母公司的進度,群聯支援43奈米製程的控制晶片預計也將在6月底前量產,預計第1個導入的產品會是隨身碟,第3季再導入於SD卡產品線上,全然配合東芝43奈米製程NAND Flash晶片的量產進度。
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( h* N0 d" Q3 ]6 O群聯指出,支援50奈米的NAND Flash晶片是可矯正12bit的ECC,到了43奈米製程世代,預計可矯正24bit的ECC功能,配合NAND Flash晶片世代演進。/ K4 V, C5 e7 P/ i! Z: Z' Q

1 ?/ ~( n* i4 u1 `ECC修正能力主要是用來輔助NAND Flash晶片的功能,協助導入在各種終端產品上,加強NAND Flash進入消費性電子產品和個人電腦(PC)的速度,未來ECC的矯正功能也會增進至32bit,隨著40奈米和30奈米製程世代來臨,控制晶片的ECC角色越來越吃重。
作者: mitch90021    時間: 2012-5-23 01:30 PM
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