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標題: 和艦成功開發0.18um嵌入式快閃記憶體技術 [打印本頁]

作者: jiming 時間: 2008-5-27 04:16 PM
標題: 和艦成功開發0.18um嵌入式快閃記憶體技術
和艦(蘇州)有限公司與常憶共同宣布已成功開發擁有更高的Endurance和更小記憶體面積等優點的0.18um Floating Gate嵌入式快閃記憶體技術。通過與常憶密切合作，和艦完成此項非揮發性記憶體工藝的開發和品質驗證，同時開發不同儲存容量的快閃記憶體，並達成高良率目標。目前該技術已被多家和艦客戶所採用並投產。

和艦表示，此款新的0.18um嵌入式快閃記憶體技術與標準的0.18um CMOS工藝完全相容，使得和艦目前0.18um制程所有的知識產權庫和設計單元資料庫能夠與之整合。且同一個記憶體經客制化可允許同時存在不同大小配置的擦除，從而提升系統配置的彈性，滿足客戶在這方面的特殊需求。這款成功開發0.18um嵌入式快閃記憶體技術，不僅表明和艦正不斷加強在快速成長的嵌入式非揮發性記憶體市場的地位，也代表其為客戶提供最具成本優勢和可靠度解決方案的堅定承諾。並有助於提升和艦市場競爭力與鞏固市場地位。

常憶總經理王筱瑜先生表示，常憶獨有的2T-PMOS單元結構專利是實現這項新嵌入式快閃記憶體顯著優勢的重要因素，例如低功耗，抗干擾能力強，以及最小記憶體面積。值得一提的技術成就是在-40℃∼105℃的溫度範圍內，以及在200K Cycle寫入/擦除次數的嚴苛條件後，資料保存時間在高溫下至少可達20年。

和艦網址：www.hjtc.com.cn
常憶網址：www.chingistek.com

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