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標題:
Diffusion ROM & Via ROM ？？
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作者:
swamy
時間:
2008-5-30 09:24 AM
標題:
Diffusion ROM & Via ROM ？？
什麼是diffusion ROM, Via ROM?
2 P* h9 J5 z% ~* u Y
它們的差異在哪裡呀？
$ f$ N" h* ^ N: b) Y# K6 q" C
請知道的大大share一下！！
作者:
rogeryang
時間:
2008-5-30 04:57 PM
網路上查到的.參考一下:
% R2 u0 |; j9 C" l3 i
"Diffusion ROM is based on VT change (using VT implant mask) => Hihg VT transistors not conducting, low VT ones conducting
' c1 @; n! a# c# y9 ]8 s6 v2 I, E
VIA ROM is using via to "connect" or "not connect", resulting 0 and 1
* F0 x) y+ z4 J& X
VIA ROM may have bigger cell size "
作者:
teaman
時間:
2008-9-29 01:52 PM
以Mask而言，Diffusion layer 的製造順序比PLY前面，wafer
( y( u Z4 u$ A/ q0 S/ q
不能hold在此時，在tape out經常在最後關頭要換 ROM CODE的
; {7 T9 T9 q+ _: ~( ]
project，選用Diffusion ROM是很不智的。
* `9 N. r; g. {! ]( G2 `4 |
但他有面積小、速度快的優點。
, B* S$ T/ k( a6 |& p1 G3 O
2 m- K1 U7 Y" w
另，Diffusion ROM不是只有控制Vt的方式可以達成。控制Vt的
7 r& e+ W1 T" N7 I: ?
方式通常有patent保護，自己要design時候要特別注意，也要看
0 ]/ ?$ }5 h# F4 c+ i6 b
你要投的fab有沒有支援此process。
1 b3 r+ k6 c3 E4 p4 `0 V( M
/ w, N* y3 S" v, s0 f' f3 }% |4 _
Via layer 的優缺點跟Diffusion layer的相反。
& a8 S" j9 l2 K0 h( M
6 G: j3 D; ]7 E* q7 u. r" W5 _
[
本帖最後由 teaman 於 2008-9-29 01:54 PM 編輯
]
作者:
yslai1222
時間:
2010-7-2 10:20 AM
Diffusion ROM通常用在exteranl ROM; Via ROM 跟metal ROM通常是應用在embedded system; Difussion ROM的應用時間是ROM code真的很成熟的時候,這樣才可以gain到體積小而不用改ROM code的優點; Via ROM更改ROM code的cost則比較小
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